[发明专利]光电二极管阵列有效
申请号: | 201680068163.0 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN108292663B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 罗伯特·艾伦·赫尔米克 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L27/146 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
地址: | 奥地利乌特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电二极管 阵列 | ||
1.一种光电二极管阵列,包括:
-第一光电二极管,其包括第一组空间分离且电互连的光电二极管分段(D1');
-第二光电二极管,其包括第二组空间分离且电互连的光电二极管分段(D2');
-第一光电二极管分段群(12),其包括来自所述第一组和/或第二组光电二极管分段中的光电二极管分段,其中,来自所述第一光电二极管分段群的光电二极管分段围绕共同的对称中心(C0)相对于所述共同的对称中心以共同的第一距离径向布置,以及
-第二光电二极管分段群(34),其包括来自所述第一组和/或第二组光电二极管分段的光电二极管分段,其中,来自所述第二光电二极管分段群的光电二极管分段围绕所述共同的对称中心相对于所述共同的对称中心以第二共同的距离径向布置,其中,所述第一距离不同于所述第二共同的距离,并且其中
-每个光电二极管具有面积匹配的配对光电二极管,以形成匹配的光电二极管对,
-匹配的配对光电二极管包括一组匹配的空间分离且电互连的光电二极管分段,并且
-每个光电二极管分段群包括相应的一组匹配的光电二极管分段。
2.根据权利要求1所述的光电二极管阵列,还包括:
-至少一个第三光电二极管,其包括第三组空间分离且电互连的光电二极管分段(D3'、D4'、D5'、D6'),以及
-至少一个第三光电二极管分段群(56),其包括来自所述第一组、第二组和/或第三组光电二极管分段的光电二极管分段,其中,来自所述第三光电二极管分段群的光电二极管分段围绕所述共同的对称中心并且相对于所述共同的对称中心以第三共同距离径向布置。
3.根据权利要求1或2所述的光电二极管阵列,其中
-至少一个光电二极管包括一组相互交叉的空间分离且电互连的光电二极管分段,并且
-相互交叉的光电二极管分段群(IR)包括所述一组相互交叉的光电二极管分段,和/或,其它光电二极管分段群包括所述一组相互交叉的光电二极管分段,并且
-来自所述一组相互交叉的光电二极管分段的光电二极管分段围绕所述共同对称中心径向布置。
4.根据权利要求1或2所述的光电二极管阵列,其中,所述光电二极管分段的光敏表面区域具有非矩形形状。
5.根据权利要求4所述的光电二极管阵列,其中,在每个光电二极管分段群内,所述光电二极管分段的光敏表面区域具有相同的形状和面积。
6.根据权利要求4所述的光电二极管阵列,其中
-对于每个群,光电二极管分段分别关于所述共同的对称中心均匀散布,
-对于每个群,光电二极管分段分别被布置成相对的光电二极管分段对并且相对于所述共同的对称中心布置,并且
-对于每个对,关于面积和位置,相对的光电二极管分段分别关于共同的对称点是点不变的。
7.根据权利要求4所述的光电二极管阵列,其中
-对于每个光电二极管分段,其光敏区域的至少一侧沿着对称轴(X、Y、XY、XY')对齐,并且
-所述对称轴(X、Y、XY、XY')在所述共同的对称中心(C0)相交。
8.根据权利要求7所述的光电二极管阵列,其中
-在每个群中,一组光电二极管分段和一组匹配的光电二极管分段分别以匹配的光电二极管分段对布置,并且
-每个匹配的光电二极管分段对相对于至少一个对称轴(X、Y、XY、XY')布置,使得来自所述对的光电二极管分段分别相对于所述对称轴(X、Y、XY、XY')彼此相对。
9.根据权利要求8所述的光电二极管阵列,其中,在每个匹配的光电二极管分段对中,所述光电二极管分段由相应的通道(CH1、CH2、CH3、CH4、CH15、CH26)分离,并且相应的通道分别与对应的对称轴(X、Y、XY、XY')对齐。
10.根据权利要求4所述的光电二极管阵列,其中,来自不同群的光电二极管分段的光敏区域具有不同的形状和面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的