[发明专利]钝化半导体衬底中缺陷的方法与装置

权利要求书

1.一种钝化半导体衬底，特别是硅基太阳电池的缺陷的方法，包括以下步骤：

在第一处理阶段中，至少通过电磁辐射来加热衬底，其中施加于所述衬底的辐射至少具有小于1200nm的波长及至少8000瓦/m²的强度；

在所述加热阶段之后的温度保持阶段中，用电磁辐射照射所述衬底，其中施加于所述衬底的辐射主要具有小于1200nm的波长及至少8000瓦/m²的强度；

通过在所述温度保持阶段中与经冷却装置冷却的涂层发生接触，来冷却所述衬底的背离所述电磁辐射的辐射源的一面。

2.一种钝化半导体衬底，特别是硅基太阳电池的缺陷的方法，包括以下步骤：

在将电磁辐射施加于衬底期间，在第一处理阶段中通过与经调温的涂层发生接触来对所述衬底进行调温，其中施加于所述衬底的辐射至少具有小于1200nm的波长及至少8000瓦/m²的强度；

在所述第一处理阶段之后的温度保持阶段中，用电磁辐射照射所述衬底，其中施加于所述衬底的辐射主要具有小于1200nm的波长及至少8000瓦/m²的强度；

通过在所述温度保持阶段中与经冷却装置冷却的涂层发生接触，来冷却所述衬底的背离所述电磁辐射的辐射源的一面。

3.根据权利要求2所述的钝化半导体衬底的缺陷的方法，其中在所述第一处理阶段中，用主要具有小于1200nm的波长的电磁辐射来照射所述衬底。

4.根据权利要求中任一项所述的钝化半导体衬底的缺陷的方法，其中在所述温度保持阶段之后实施冷却阶段，在所述冷却阶段中，在仍用主要具有小于1200nm的波长的电磁辐射来照射所述衬底的期间，至少通过与经冷却装置冷却的涂层发生接触来冷却所述衬底。

5.根据权利要求1所述的钝化半导体衬底的缺陷的方法，其中在加热阶段中，所述电磁辐射具有波长为大于1200nm的辐射主要部分。

6.根据前述权利要求中任一项所述的钝化半导体衬底的缺陷的方法，其中所述第一处理阶段和/或所述温度保持阶段中的电磁辐射的强度为至少9000瓦/m²，特别是至少10000瓦/m²。

7.根据前述权利要求中任一项所述的钝化半导体衬底的缺陷的方法，其中所述辐射在所述第一处理阶段中的强度高于在所述温度保持阶段中的强度，特别是高出至少1.3倍。

8.根据权利要求1所述的钝化半导体衬底的缺陷的方法，其中在所述加热阶段中额外地通过与经加热装置加热的涂层发生接触来对所述衬底进行加热。

9.根据前述权利要求中任一项所述的钝化半导体衬底的缺陷的方法，其中将同一类型的辐射源应用于所述第一处理阶段及所述温度保持阶段，其中至少在所述温度保持阶段中，将所述辐射源的一部分光谱滤出，使得入射至所述衬底的辐射主要具有小于1200nm的波长。

10.根据前述权利要求中任一项所述的钝化半导体衬底的缺陷的方法，其中在所述第一处理阶段、所述温度保持阶段和/或所述冷却阶段中，通过不同类型的辐射源来照射所述衬底。

11.根据前述权利要求中任一项所述的钝化半导体衬底的缺陷的方法，其中在所述第一处理阶段中，至少部分地通过与经加热装置加热的涂层发生接触来对所述衬底进行加热。