[发明专利]钙钛矿、其制备方法及包括钙钛矿的太阳能电池在审

专利信息
申请号: 201680068297.2 申请日: 2016-07-18
公开(公告)号: CN109874347A 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 崔万秀;安男泳;郭贵圣 申请(专利权)人: 多次元能源系统研究集团;首尔大学校产学协力团
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;C01G23/04;H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 江侧燕
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 阳离子 阴离子 电化学性质 钙钛矿薄膜 结构稳定性 无机阳离子 太阳能电池 卤素离子 制备
【权利要求书】:

1.一种由式1表示的钙钛矿:

[AaBbCc]Pb[XdYeWf] (1)

其中A、B和C彼此相同或不同,各自独立地为有机阳离子或无机阳离子;X、Y和W彼此相同或不同,各自独立地为作为卤素离子F-、Cl-、Br-或I-;a、b和c满足a+b+c=1,0.05≤a≤0.95,0≤b≤0.95,且0≤c≤0.95的关系;并且,d、e和f满足d+e+f=3,0.05≤d≤3,0≤e≤2.95和0≤f≤2.95的关系,条件是当b和c同时为0时,e和f不同时为0,当e和f同时为0时,b和c不同时为0。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿,其中,当式1中的c和f同时为0时,a和b满足a+b=1,0.2≤a≤0.9且0.1≤b≤0.8的关系,且d和e满足d+e=3,2≤d≤2.95且0.05≤e≤1的关系。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿,其中,当c和f同时为0时,a和b满足0.35≤a≤0.65且0.35≤b≤0.65,并且d和e满足2.8≤d<3且0<e≤0.2。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿,其中,所述钙钛矿在室温下包括立方结构。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿,其中,所述钙钛矿具有对应于在27°和29°之间的2θ角度处的(200)平面的单一x-射线衍射(XRD)峰。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿,其中,所述钙钛矿满足等式1给出的几何条件:

其中rc是阳离子的平均离子半径,ra是阴离子的平均离子半径,且rPb是Pb2+阳离子的离子半径,和

由等式1计算的t值为0.7~1。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿,其中,t值为0.8或以上。

8.根据权利要求1所述的钙钛矿,其中,式1中的A、B和C各自独立地为由式2或式3表示的有机阳离子,或为Cs+阳离子,其中式2为:

(R1R2N=CH-NR3R4)+ (2)

其中R1、R2、R3和R4各自独立地选自氢,和经取代或未经取代的C1-C6烃基,

式3为:

(R5R6R7R8N)+ (3)

其中R5、R6、R7和R8各自独立地是氢,经取代或未经取代的C1-C20烃基或经取代或未经取代的芳基。

9.根据权利要求8所述的钙钛矿,其中,式1中的A、B和C各自独立地选自式2和式3的有机阳离子,且式3和式4的有机阳离子以2:8至5:5的摩尔比存在。

10.根据权利要求1所述的钙钛矿,其中,A、B和C各自独立地选自CH3NH3+、CH(NH2)2+和Cs+

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