[发明专利]具有高活性质量负载量的超级电容器电极和电芯有效
申请号: | 201680068310.4 | 申请日: | 2016-11-18 |
公开(公告)号: | CN108292608B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 扎姆阿茹娜;张博增 | 申请(专利权)人: | 纳米技术仪器公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 王海宁 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 活性 质量 负载量 超级 电容器 电极 | ||
一种用于生产超级电容器电芯的电极的方法,所述方法包括:(A)制备多个导电多孔层和由与液体或凝胶电解质混合的电极活性材料和任选的导电添加剂构成的多个湿电极层,其中所述导电多孔层含有互连的导电通路和至少80体积%的孔;以及(B)以交替顺序堆叠并固结希望数量的所述多孔层和希望数量的所述湿电极层,以形成具有不小于100μm(优选大于200μm、更优选大于400μm、进一步更优选大于600μm、并且最优选大于1,000μm)的厚度的电极。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年11月23日提交的美国专利申请号14/757,124的优先权,所述专利申请通过引用结合在此。
技术领域
本发明总体涉及超级电容器(supercapacitor)或超级电容(ultracapacitor)的领域,并且更具体地涉及用于超级电容器电极和电芯的生产方法。
背景技术
电化学电容器(EC)(还被称为超级电容或超级电容器)正被考虑用于混合电动车辆(EV)中,其中它们可以补充用于电动汽车中的电池以提供快速加速所需要的功率突增,最大的技术障碍是使电池供电的汽车在商业上是可行的。电池仍将被用于巡航,但超级电容器(以其比电池更加快速地释放能量的能力)当汽车需要加速以并道、通过、应急操纵和爬坡时将开始生效。EC还必须储存足够的能量来提供可接受的汽车可行驶里程。与附加的电池容量相比,为了是成本-、体积-和重量-有效的,它们必须将适当的能量密度(体积的和重量的)和功率密度与长的循环寿命组合,并且还满足成本目标。
随着系统设计师变得熟悉其属性和益处,EC还正在获得电子工业中的接受。EC最初被开发用于为轨道激光器提供大的驱动能量突增。例如,在互补金属氧化物半导体(CMOS)内存备份应用中,具有仅仅二分之一立方英寸的体积的一法拉EC可替代镍镉或锂电池并提供数月的备用电力。对于给定的施加电压,与给定电荷相关联的EC中的储存的能量对于通过相同电荷是相应电池系统中可储存的能量的一半。虽然如此,EC是极其有吸引力的电源。与电池相比,它们不要求维护,提供高的多的循环寿命,要求非常简单的充电电路,不经历“记忆效应”,并且通常安全的多。物理而非化学能量储存是其安全操作和格外高的循环寿命的关键原因。也许最重要地,电容器提供了比电池更高的功率密度。
EC相对于常规电容器的高电容密度(比常规电容器高10至100倍)来源于使用多孔电极以产生大的有效“板面积”并且来源于在扩散双层中储存能量。当施加电压时在固体电解质界面处天然产生的这种双层具有仅约1nm的厚度,因此形成极其小的有效的“板分离”。此种超级电容器通常被称为双电层电容器(EDLC)。双层电容器是基于浸入液体电解质中的高表面积电极材料,如活性碳。在电极-电解质界面处形成极化双层,提供高电容。这意味着超级电容器的比电容是与电极材料的比表面积成正比例的。然而,该表面积必须是电解质可达的,并且所得界面区域必须足够大以容纳所谓的电双层电荷。
在一些EC中,储存的能量通过赝电容效应而进一步增大,由于此类电化学现象作为氧化还原电荷转移在固体-电解质界面处再次发生。
然而,存在与当前技术发展水平的EC或超级电容器相关联的若干个严重的技术问题:
(1)用基于活性碳电极的EC的经验示出了,实验测量的电容总是远低于从测量的表面积和偶极子层的宽度计算的几何电容。对于非常高表面积的碳,典型地仅仅约10%-20%的“理论”电容被观察到。这种令人失望的性能与微孔(2nm,大多数1nm)的存在有关,并且归因于电解质难达到的一些孔、润湿缺陷和/或不能在孔中成功形成双层,在这些孔中带相反电荷的表面相隔小于约1nm。在活性碳中,大多数的表面以此类微孔的形式存在,尽管具体的数量取决于碳的来源和热处理温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造