[发明专利]13族元素氮化物结晶基板及功能元件

权利要求书

1.一种13族元素氮化物结晶基板，所述13族元素氮化物结晶基板包括：

基底层，由13族元素氮化物结晶形成，具有第一主面和第二主面，以及，

厚膜，由13族元素氮化物结晶形成，设置在所述基底层的所述第一主面上，

其特征在于，

所述基底层包含：在所述第一主面与所述第二主面之间延伸的、低载流子浓度区域和高载流子浓度区域，所述低载流子浓度区域的载流子浓度为1×10¹⁶/cm³～10¹⁷/cm³，所述低载流子浓度区域的缺陷密度为2×10⁶/cm²～10⁷/cm²，所述高载流子浓度区域的载流子浓度为10¹⁹/cm³～5×10¹⁹/cm³，所述高载流子浓度区域的缺陷密度为10⁸/cm²～5×10⁸/cm²，所述厚膜的载流子浓度为10¹⁸/cm³～10¹⁹/cm³，所述厚膜的缺陷密度为10⁷/cm²以下。

2.根据权利要求1所述的13族元素氮化物结晶基板，其特征在于，

所述厚膜的表面的缺陷密度为10⁷/cm²以下。

3.根据权利要求1所述的13族元素氮化物结晶基板，其特征在于，

所述厚膜的厚度为1μm以上，所述基底层的厚度为50μm～200μm以下。

4.根据权利要求2所述的13族元素氮化物结晶基板，其特征在于，

所述厚膜的厚度为1μm以上，所述基底层的厚度为50μm～200μm以下。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的13族元素氮化物结晶基板，其特征在于，

所述厚膜通过助熔剂法或气相法形成。

6.根据权利要求1～4中的任意一项所述的13族元素氮化物结晶基板，其特征在于，

所述厚膜的表面为研磨面。

7.根据权利要求1～4中的任意一项所述的13族元素氮化物结晶基板，其特征在于，

构成所述基底层的所述13族元素氮化物结晶以及构成所述厚膜的所述13族元素氮化物结晶由氮化镓形成。

8.一种功能元件，其特征在于，所述功能元件包括：权利要求1～7中的任意一项所述的13族元素氮化物结晶基板、及形成在所述13族元素氮化物结晶基板的所述厚膜上的功能层，所述功能层由13族元素氮化物形成。

9.根据权利要求8所述的功能元件，其特征在于，所述功能层具有发光功能。

10.根据权利要求8或9所述的功能元件，其特征在于，

所述功能元件还包括由13族元素氮化物形成的晶种，在该晶种上设置有所述13族元素氮化物结晶基板。