[发明专利]过滤材料及其制造方法

权利要求书

1.一种过滤材料，其中它的至少一个表面被改性，其中限定表面改性的原子包含硅、碳和氢，该过滤材料的孔直径为0.1μm至100μm。

2.根据权利要求1的过滤材料，其中限定表面改性的原子另外包含氧。

3.根据权利要求1或2的过滤材料，其中过滤材料是金属或陶瓷的。

4.根据权利要求1-3任何一项的过滤材料，其具有第一和第二表面改性，其中第一表面改性包含分解的双官能有机硅烷的成分，和第二表面改性包含分解的三官能有机硅烷的成分。

5.根据权利要求1的过滤材料，其孔直径为1μm至100μm。

6.一种对过滤材料的至少一个表面进行改性的方法，该方法包括：

(a)通过包括分解双官能有机硅烷的化学气相沉积，对过滤材料的至少一个表面进行第一改性；和

(b)通过包括分解三官能有机硅烷的化学气相沉积，对步骤(a)中改性的过滤材料的至少一个表面进行第二改性。

7.根据权利要求6的方法，其中在步骤(a)中使用的双官能有机硅烷是二烷基硅烷或其混合物。

8.根据权利要求6或7的方法，其中在步骤(b)中使用的三官能有机硅烷是三烷基硅烷或其混合物。

9.根据权利要求7的方法，其中在步骤(a)中使用的二烷基硅烷是二甲基硅烷。

10.根据权利要求8的方法，其中在步骤(b)中使用的三烷基硅烷是三甲基硅烷。

11.根据权利要求6的方法，进一步包括在步骤(a)之后但在步骤(b)之前的下述步骤：

(a1)氧化在步骤(a)中改性的过滤材料的至少一个表面。

12.根据权利要求6-11任何一项的方法，其中化学气相沉积选自常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、超高真空化学气相沉积(UHVCVD)、贫料反应化学气相沉积(SRCVD)、原子层化学气相沉积(ALCVD)和等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)。

13.根据权利要求6的方法，其中在步骤(a)中使用的方法是贫料反应化学气相沉积(SRCVD)。

14.一种制造表面改性的过滤材料的方法，限定表面改性的原子包含硅、碳和氢，该方法包括：

(a)形成过滤材料；和

(b)根据权利要求6-13任何一项的方法对过滤材料的表面进行改性。

15.通过根据权利要求6-13任何一项的方法可获得或者获得的过滤材料。

16.一种过滤器元件，它包含如权利要求1-5或15任何一项限定的过滤材料。

17.根据权利要求16的过滤器元件，其选自芯子、滤网、筒体、片材、盘和过滤器板。

18.一种过滤器单元，它包括根据权利要求17或18的过滤器元件和支撑结构。

19.一种过滤流体的方法，该方法包括使流体流经根据权利要求1-5或15任何一项的过滤材料、根据权利要求16或17的过滤器元件或者根据权利要求18的过滤器单元。

20.根据权利要求1-5或15任何一项的材料在过滤中的用途。

21.根据权利要求1-5或15任何一项的材料在气化装置中的过滤中的用途。