[发明专利]存储设备中的双层电介质

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

存储器阵列，具有多条字线；以及

填充区域，位于所述多条字线中的相应相邻字线对之间，其中，所述填充区域中的一个或多个填充区域包括第一电介质材料和设置在所述第一电介质材料上的第二电介质材料，其中，所述第一电介质材料是有机旋涂电介质材料(CSOD)，其中，所述第二电介质材料不同于所述第一电介质材料，其中，所述多条字线中的个体字线包括单元叠置体，并且其中，所述单元叠置体包括选择器器件层和储存设备层。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二电介质材料包括无机电介质材料或醇盐化合物材料。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述醇盐化合物材料包括正硅酸乙酯(TEOS)。

4.根据权利要求1所述的装置，还包括设置在所述第二电介质材料上的多条位线。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的装置，其中，所述多条字线中的个体字线包括单元叠置体，所述单元叠置体具有顶部电极层，其中，所述第二电介质材料的下表面低于或处于所述顶部电极层的下表面的水平。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括耦合到所述字线的侧表面的密封层，其中，所述第二电介质材料的一部分设置在所述密封层上。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述存储器阵列还包括与所述多条字线相邻的外围部分，其中，所述外围部分包括：

所述第一电介质材料；

所述第二电介质材料，设置在所述第一电介质材料上；以及

一个或多个过孔，穿过所述第一电介质材料和所述第二电介质材料设置，以为所述存储器阵列提供与关联于所述存储器阵列的电路的电连接。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述存储器阵列是三维(3D)存储器阵列。

9.根据权利要求1所述的装置，还包括处理器，耦合到所述存储器阵列。

10.一种用于形成存储器阵列的方法，所述方法包括：

形成包括第一字线和第二字线的存储器阵列的多条字线；

在所述第一字线和所述第二字线之间形成第一电介质层；以及

在所述第一字线与所述第二字线之间的所述第一电介质层上形成第二电介质层，其中，所述第二电介质层由与所述第一电介质层不同的材料形成，

其中，在所述第一电介质层上形成所述第二电介质层之前，蚀刻掉所述字线之间的所述第一电介质层的一部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一电介质层包括有机旋涂电介质材料(CSOD)，并且其中，所述第二电介质层包括无机电介质材料或醇盐化合物材料。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括形成耦合到所述字线的一侧的密封层，其中，所述蚀刻包括蚀刻掉所述密封层的一部分。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述多条字线包括形成所述多条字线中的个体字线的单元叠置体，其中，所述单元叠置体包括顶部电极层，并且其中，所述蚀刻包括蚀刻掉所述第一电介质层以达到所述顶部电极层的下表面处或下方的水平。

14.一种计算系统，包括：

处理器；以及

存储器，耦合到所述处理器，所述存储器包括：

多条字线，所述多条字线中的个体字线包括单元叠置体，所述单元叠置体具有顶部电极层；

第一电介质层，设置在相应个体字线对之间；以及

第二电介质层，设置在相应个体字线对之间的第一电介质层上，其中，所述第二电介质层由与所述第一电介质层不同的材料形成，并且其中，所述第二电介质层的下表面低于或处于所述顶部电极层的下表面的水平。