[发明专利]纳米孔测量数据的自适应压缩和修改有效

专利信息
申请号: 201680068392.2 申请日: 2016-09-20
公开(公告)号: CN108369221B 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: H.田;S.弗南德斯-戈梅斯;B.梅尼;R.雅亚拉克什米 申请(专利权)人: 豪夫迈·罗氏有限公司
主分类号: G01N33/487 分类号: G01N33/487
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 黄涛;刘春元
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 纳米 测量 数据 自适应 压缩 修改
【说明书】:

系统包括多个纳米孔单元。接收与多个纳米孔单元的纳米孔状态对应的数据。分析所述数据以确定在给定至少一种压缩技术的情况下所述数据的压缩输出大小。确定所述压缩输出大小是否超过数据预算。在确定所述压缩输出大小超过所述数据预算的情况下,修改所述数据。输出经修改的数据。

背景技术

近年来半导体产业内微小型化方面的进步使得生物技术专家能够开始将传统上庞大的感测工具打包到越来越小的形状因子中,打包到所谓的生物芯片上。常常,可以从生物芯片中导出的数据量由于在通信带宽方面的限制而受约束。随着生物芯片生成越来越多的信息,减小需要从生物芯片中导出的数据的量将是合期望的。

附图说明

在以下详细描述和附图中公开了本发明的各种实施例。

图1图示了基于纳米孔的定序芯片中的单元100的实施例。

图2图示了利用Nano-SBS技术来执行核苷酸定序的单元200的实施例。

图3图示了即将利用预加载的标签来执行核苷酸定序的单元的实施例。

图4图示了用于利用预加载的标签来进行核酸定序的过程400的实施例。

图5A图示了在法拉第传导期间的小信号电路模型的实施例。

图5B图示了在法拉第传导情况下PNTMC的不同状态。

图6图示了被配置用于非法拉第和电容性耦合的测量的基于纳米孔的定序芯片中的单元的实施例。

图7图示了针对非法拉第传导的小信号电路模型的实施例。

图8A和图8B图示了双层的电容性响应的实施例。

图9A和9B图示了在非法拉第AC调制情况下的纳米孔电流。

图10图示了处于稳定状态的峰值正电流根据占空比和所施加的电压而变化。

图11图示了与图10的数据匹配的仿真模型的实施例。

图12A和12B图示了当所施加的信号具有50%占空比时的仿真结果。

图13A图示了当所施加的信号具有25%占空比时的测量电流。

图13B图示了当所施加的信号具有25%占空比时的仿真电流。

图14A图示了当所施加的信号具有50%占空比时施加到纳米孔的电压对时间。

图14B图示了当所施加的信号具有25%占空比时施加到纳米孔的电压对时间。

图15图示了用于标识分子的过程的实施例。

图16图示了基于纳米孔的定序芯片的单元中的电路1600的实施例。

图17图示了基于纳米孔的定序芯片的单元中的电路1700的实施例,其中跨纳米孔施加的电压可以被配置成在纳米孔处于特定可检测状态中的时间段内变化。

图18A和18B图示了基于纳米孔的定序芯片的单元中的电路(1800和1801)的附加实施例,其中跨纳米孔施加的电压可以被配置成在纳米孔处于特定可检测状态中的时间段内变化。

图19图示了用于分析纳米孔内部的分子的过程1900的实施例,其中纳米孔被插入隔膜中。

图20图示了当过程1900被执行且重复三次时跨纳米孔施加的电压对时间的曲线图的实施例。

图21图示了当纳米孔处于不同状态时跨纳米孔施加的电压对时间的曲线图的实施例。

图22是图示基于纳米孔的定序芯片的单元的电路的实施例的电路图,其中该定序芯片包括用于存储测量值的模拟存储器。

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