[发明专利]多基准集成式散热器（IHS）解决方案

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

衬底上的部件，所述部件包括具有不同厚度的两个或更多个半导体管芯；以及

集成式散热器IHS解决方案，所述IHS解决方案包括：

IHS盖，所述IHS盖包括在所述IHS盖的中心区域中形成的多个腔，所述多个腔包括形成在所述IHS盖中的至少一个或多个侧壁，其中所述多个腔包括形成在所述多个腔的每个侧壁上的具有不同厚度的中间级热界面材料层；以及

在所述部件上的第一热界面材料层上的单独IHS块，其中所述IHS块在所述中间级热界面材料层和所述部件上的所述第一热界面材料层之间，其中所述IHS盖分别在所述中间级热界面材料层、所述IHS块、所述部件上的所述第一热界面材料层上，并且其中所述中间级热界面材料层嵌入在所述多个腔的每个侧壁与所述IHS块之间。

2.根据权利要求1所述的封装，其中所述多个腔的所述侧壁包围所述IHS块的侧壁以使得所述IHS块的至少一部分被插入所述多个腔中。

3.根据权利要求1所述的封装，其中所述IHS解决方案进一步包括：

在所述IHS块和所述多个腔之间的所述中间级热界面材料层。

4.根据权利要求3所述的封装，其中在将所述IHS块插入所述腔中之前在所述IHS盖的所述多个腔中形成所述中间级热界面材料层。

5.根据权利要求3所述的封装，其中在将所述IHS块插入所述多个腔中之前所述中间级热界面材料层在所述IHS块上。

6.根据权利要求3所述的封装，其中所述中间级热界面材料层包括聚合热界面材料（PTIM）、环氧树脂、液相烧结（LPS）膏、或焊膏中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的封装，其中所述IHS盖热耦合且机械耦合至所述IHS块。

8.根据权利要求1所述的封装，其中利用密封剂将所述IHS盖的至少一个侧壁区域机械耦合至所述衬底。

9.根据权利要求1所述的封装，进一步包括：

在所述IHS盖上的热沉，所述热沉被耦合至所述IHS盖；以及

在所述IHS盖上的第二热界面材料层，所述第二热界面材料层处于所述热沉和所述IHS盖之间。

10.一种形成多芯片封装的方法，包括：

在衬底上的多个半导体管芯上沉积第一热界面材料层；

将单独的集成式散热器IHS块转移到所述多个半导体管芯上，其中将所述IHS块转移到所述多个管芯上包括：当所述IHS块在所述第一热界面材料层上时向所述IHS块施加力以帮助促使所述第一热界面材料层具有预定接合线厚度（BLT）；以及

将IHS盖热耦合至所述IHS块，其中所述IHS盖具有在所述IHS盖的中心区域中形成的多个腔，所述多个腔包括形成在所述IHS盖中的至少一个或多个侧壁，其中所述多个腔包括形成在所述多个腔的每个侧壁上的具有不同厚度的中间级热界面材料层，其中所述IHS块在所述中间级热界面材料层和所述管芯上的所述第一热界面材料层之间，其中所述IHS盖分别在所述中间级热界面材料层、所述IHS块、所述管芯上的所述第一热界面材料层上，并且其中所述中间级热界面材料层嵌入在所述多个腔的每个侧壁与所述IHS块之间。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

将所述IHS块插入所述IHS盖的所述多个腔中，其中所述腔的所述侧壁包围所述IHS块的侧壁。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

在所述多个腔中或在所述IHS块上沉积所述中间级热界面材料层，其中在将所述IHS块插入所述多个腔中之前沉积所述中间级热界面材料层。