[发明专利]具有针对不同的换能器阵列的微波束形成器的超声系统

权利要求书

1.一种超声探头，包括：

换能器元件的第一阵列；

换能器元件的第二阵列，其中，所述第一阵列包括高频换能器元件，并且所述第二阵列包括低频换能器元件；以及

微波束形成器专用集成电路（ASIC），其定位于所述探头中并且耦合到换能器元件的所述第一阵列和所述第二阵列，所述微波束形成器ASIC具有多个通道，其中，每个通道包括：耦合到所述第一阵列的换能器元件的第一发射器，耦合到所述第二阵列的换能器元件的第二发射器，以及选择性地耦合到所述第一阵列的所述换能器元件、所述第二阵列的所述换能器元件或两者的接收器。

2.根据权利要求1所述的超声探头，其中，所述接收器通过第一发射/接收（T/R）开关被选择性地耦合到所述第一阵列的所述换能器元件，并且通过第二T/R开关被选择性地耦合到所述第二阵列的所述换能器元件。

3.根据权利要求2所述的超声探头，其中，第三开关（RXSWB）被配置为在由所述换能器元件接收回波信号期间被动态地闭合。

4.根据权利要求3所述的超声探头，还包括第四开关（RXSWNXT），所述第四开关被配置为选择性地将所述微波束形成器ASIC的所述多个通道中的一个通道的接收器耦合到另一个通道的接收器。

5.根据权利要求1所述的超声探头，其中，所述接收器还包括TGC放大器。

6.根据权利要求5所述的超声探头，其中，所述接收器还包括时间延迟。

7.根据权利要求1所述的超声探头，其中，所述第一发射器和所述第二发射器分别包括高电压发射器，并且其中，所述接收器包括低电压接收器。

8.根据权利要求2所述的超声探头，其中，所述第一T/R开关和所述第二T/R开关包括被配置为在由所述换能器元件接收回波信号期间被动态地闭合的开关。

9.根据权利要求1所述的超声探头，其中，换能器元件的所述第一阵列和所述第二阵列两者都在方位方向上延伸并且被定位为在海拔方向上彼此相邻。

10.根据权利要求9所述的超声探头，还包括换能器元件的第三阵列，所述换能器元件的所述第三阵列沿所述方位方向延伸且被定位为在与所述第二阵列相反的侧上与所述第一阵列相邻，

其中，所述第二发射器被耦合到所述第三阵列的换能器元件。

11.根据权利要求1所述的超声探头，其中，换能器元件的所述第一阵列被安装在所述探头的第一远端处；并且

其中，换能器元件的所述第二阵列被安装在所述探头的第二远端处。

12.根据权利要求11所述的超声探头，其中，所述第一阵列包括高频换能器元件，并且所述第二阵列包括低频换能器元件。

13.根据权利要求3所述的超声探头，包括控制逻辑，所述控制逻辑被配置为选择性地操作所述第一T/R开关和所述第二T/R开关以及所述第三开关（RXSWB）。

14.根据权利要求13所述的超声探头，其中，所述控制逻辑以及所述第一发射器和所述第二发射器被配置为响应于由主超声系统提供的通道数据而选择性地进行操作。