[发明专利]单晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201680068989.7 | 申请日： | 2016-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN108291328B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 金大基 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 肖日松;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅的制造方法，其特征在于，具备：
熔解工序，通过由加热部加热容纳有硅的石英坩埚来熔解所述硅；
浸渍工序，使籽晶与所述石英坩埚内的硅熔体接触；及
提拉工序，通过提拉所述籽晶来生长单晶硅，
所述提拉工序中，在所述加热部的电力消耗量达到10000kwh以上之后开始形成所述单晶硅的直体部，使得在直体部形成开始之前石英片剥离，在开始之后抑制石英片的剥离，并生长所述单晶硅整体。
2.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，具备：
在所述浸渍工序与所述提拉工序之间进行的暂时生长工序及回熔工序，
所述暂时生长工序中，通过提拉与所述硅熔体接触的所述籽晶来生长单晶硅的一部分，
所述回熔工序中，将在所述暂时生长工序中生长的单晶硅熔到所述硅熔体中。
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