[发明专利]溅射靶

说明书

本发明提供能够制作矫顽力Hc大的磁性薄膜的溅射靶。该溅射靶含有金属Co、金属Pt和氧化物而成，其是除了不可避免的杂质以外不含金属Cr的溅射靶，上述氧化物的熔点为600℃以下、并且该氧化物的每1mol O₂的标准生成吉布斯自由能ΔGf为‑1000kJ/mol O₂以上且‑500kJ/mol O₂以下。

技术领域

本发明涉及溅射靶，详细而言，涉及能够制作矫顽力大的磁性薄膜的溅射靶，其是含有金属Co、金属Pt和氧化物而成的溅射靶。

需要说明的是，在本说明书中，有时将含有金属Co、金属Pt和氧化物而成的溅射靶记载为CoPt-氧化物系靶。另外，有时将含有金属Co、金属Pt和氧化物而成的磁性薄膜记载为CoPt合金-氧化物系磁性薄膜。

背景技术

在硬盘驱动器的磁盘中，作为承担信息信号的记录的磁记录膜之一，使用由CoPt基合金-氧化物的颗粒结构构成的磁性薄膜(例如，参见非专利文献1)。该颗粒结构由柱状的CoPt基合金晶粒与包围其周围的氧化物的晶界构成。因此，为了在由CoPt基合金-氧化物的颗粒结构构成的磁性薄膜中进一步提高记录密度，需要将磁记录层(磁性薄膜)中所含的CoPt基合金晶粒微细化。

但是，CoPt基合金晶粒的微细化进展的结果是会产生所谓的热起伏现象，即，因超顺磁现象使得记录信号的热稳定性受损而使记录信号消失。该热起伏现象成为对于磁盘的高记录密度化的较大阻碍。

为了解决该阻碍，对于各CoPt基合金晶粒而言，需要增大磁能使得磁能战胜热能。各CoPt基合金晶粒的磁能由CoPt基合金晶粒的体积v与磁晶各向异性常数Ku的积v×Ku来决定。因此，为了增大CoPt基合金晶粒的磁能，使CoPt基合金晶粒的磁晶各向异性常数Ku增大是必不可少的(例如，参见非专利文献2)。

作为使CoPt基合金晶粒的Ku增大的对策，可以列举：减少各CoPt基合金晶粒中的层叠缺陷、提高Co原子与Pt原子的层叠结构的周期性等(例如，参见非专利文献3、4)。

另一方面，为了使具有大Ku的CoPt基合金晶粒以柱状生长，必须实现CoPt基合金晶粒与晶界材料的相分离。另外，如果CoPt基合金晶粒与晶界材料的相分离不充分、CoPt基合金晶粒间的晶粒间相互作用增大，则由CoPt基合金-氧化物的颗粒结构构成的磁性薄膜的矫顽力Hc减小，热稳定性受损，容易产生热起伏现象。因此，减小CoPt基合金晶粒间的晶粒间相互作用也很重要。

为了满足如上所述的要求，对用于作为相对于CoPt基合金晶粒的晶界材料使用的氧化物进行了各种研究(例如，参见非专利文献5、6)。但是，材料选择的方针还不明确，即使现在对用于作为相对于CoPt基合金晶粒的晶界材料使用的氧化物还在继续研究。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：T.Oikawa et al.，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS，2002年9月，VOL.38，NO.5，p.1976-1978

非专利文献2：S.N.Piramanayagam，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，2007年，102，011301

非专利文献3：A.Ishikawa and R.Sinclair，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS，1996年9月，VOL.32，NO.5，p.3605-3607

非专利文献4：S.Saito，S.Hinata，and M.Takahashi，IEEE TRANSACTIONS ONMAGNETICS，2014年3月，VOL.50，NO.3，3201205