[发明专利]制造光电转换元件的方法

权利要求书

1.一种制造光电转换元件的方法，具有：

(1)在基板上配置第一电极的步骤；

(2)在所述第一电极的上部配置由含有锌(Zn)以及氧(O)、并且还含有硅(Si)以及锡(Sn)中的至少一方的金属氧化物构成的第一薄膜的步骤；

(3)利用气体对配置于所述第一电极的上部的所述第一薄膜施加压力的步骤；

(4)在所述第一薄膜的上部配置作为将施加电压转换成光的层或者将入射光转换成电力的层的光电转换层的步骤；以及

(5)在所述光电转换层的上部配置第二电极的步骤，

所述(3)的步骤中的压力大于所述(2)、(4)的步骤中的压力且所述(3)的步骤中的压力的值为10kPa～1000kPa。

2.根据权利要求1所述的制造光电转换元件的方法，其特征在于，

在所述(3)的步骤中，通过大气来施加所述压力。

3.根据权利要求1所述的制造光电转换元件的方法，其特征在于，

所述压力是大气压。

4.根据权利要求2所述的制造光电转换元件的方法，其特征在于，

所述压力是大气压。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造光电转换元件的方法，其特征在于，

所述(2)的步骤在腔室内实施，

所述(3)的步骤通过敞开所述腔室来实施。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的制造光电转换元件的方法，其特征在于，

所述第一薄膜的Zn/(Zn+Si)的mol比处于0.3～0.95的范围。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的制造光电转换元件的方法，其特征在于，

所述第一薄膜还含有从由钛(Ti)、铟(In)、镓(Ga)、铌(Nb)以及铝(Al)构成的组中选择的一种以上的金属成分。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的制造光电转换元件的方法，其特征在于，

进一步地，在所述(3)的步骤与(4)的步骤之间具有在所述第一薄膜的上部设置第一追加层的步骤，

所述第一追加层是电子注入层、电子输送层以及空穴阻挡层中的至少一方。

9.根据权利要求8所述的制造光电转换元件的方法，其特征在于，

所述第一追加层由含有钙原子以及铝原子的非晶质氧化物的电子化合物构成。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的制造光电转换元件的方法，其特征在于，

进一步地，在所述(4)的步骤与(5)的步骤之间具有：

(6)在所述光电转换层的上部形成电子阻挡层、空穴输送层以及空穴注入层中的至少一个层的步骤。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的制造光电转换元件的方法，其特征在于，

所述光电转换层是有机发光层，

作为所述光电转换元件，制造有机电致发光元件。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的制造光电转换元件的方法，其特征在于，

所述光电转换层是有机光电转换层，

作为所述光电转换元件，制造有机太阳能电池。