[发明专利]支承玻璃基板的制造方法

权利要求书

1.一种支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，是用于支承加工基板的支承玻璃基板的制造方法，

该制造方法具备：

成形工序：成形支承玻璃基板；和

热处理工序：对成形后的支承玻璃基板进行热处理而使支承玻璃基板的热膨胀系数发生变动。

2.根据权利要求1所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，对成形工序后的支承玻璃基板进行热处理而使支承玻璃基板的热膨胀系数降低。

3.根据权利要求1或2所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，使热处理的最高温度高于(支承玻璃基板的应变点－100)℃。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，在到达热处理的最高温度后，将热处理温度以5℃/分钟以下的速度进行降温。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，利用热处理将支承玻璃基板的翘曲量降低至40μm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，准备大于支承玻璃基板的尺寸的热处理用给定器，在该热处理用给定器上载置成形后的支承玻璃基板后供于热处理工序。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，以使板厚为400μm以上且不足2mm的方式成形支承玻璃基板。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，其利用溢流下拉法成形支承玻璃基板。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，其具备

研磨工序：在热处理工序后，对支承玻璃基板的表面进行研磨而使整体板厚偏差降低至不足2.0μm。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，其具备

切割除去工序：在热处理工序后切割除去支承玻璃基板的边缘部。

11.一种半导体封装体的制造方法，其特征在于，具备如下工序：

层叠工序，制作至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠体；和

加工处理工序，对层叠体的加工基板进行加工处理，

并且支承玻璃基板利用权利要求1～10中任一项所述的支承玻璃基板的制造方法来制作。

12.根据权利要求11所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，加工基板至少具备以密封材密封而成的半导体芯片。

13.根据权利要求11或12所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，加工处理包含对加工基板的一个表面进行布线的处理。

14.根据权利要求11～13中任一项所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，加工处理包含在加工基板的一个表面形成焊料凸点的处理。