[发明专利]经涂覆的柔性组件有效
申请号: | 201680069437.8 | 申请日: | 2016-10-24 |
公开(公告)号: | CN108292667B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 哈拉尔德·考斯滕鲍尔 | 申请(专利权)人: | 普兰西股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 谷雪霓;段晓玲 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 经涂覆 柔性 组件 | ||
1.经涂覆的柔性组件(1),其包括
-柔性基板(2),
-至少一层基于难熔金属的金属涂层(3),该涂层是
MoRe涂层,
基于Mo的MoXRe涂层,其中X=Nb,Ta,Ti,W,
WRe涂层,或
基于W的WXRe涂层,其中X=Nb,Ta,Ti,Mo,
其特征在于基于难熔金属的涂层(3)包含大于6原子%且小于50原子%的Re。
2.根据权利要求1所述的经涂覆的柔性组件(1),其中基于难熔金属的涂层(3)包含大于6原子%且小于35原子%的Re。
3.根据权利要求1或2所述的经涂覆的柔性组件(1),其中基于难熔金属的涂层(3)的厚度小于1μm。
4.根据权利要求3所述的经涂覆的柔性组件(1),其中基于难熔金属的涂层(3)的厚度为5至300nm。
5.根据权利要求1或2所述的经涂覆的柔性组件(1),其中柔性基板(2)为透明的。
6.根据权利要求1或2所述的经涂覆的柔性组件(1),其中柔性基板(2)包含至少一种选自聚合物、薄玻璃、金属箔、无机材料的材料。
7.根据权利要求1或2所述的经涂覆的柔性组件(1),其中,基于难熔金属的涂层(3)在弹性应变ε为2%时的电阻R与在开始测量时的电阻R0的比例R/R0小于1.2。
8.根据权利要求1或2所述的经涂覆的柔性组件(1),其中经涂覆的柔性组件(1)具有至少一个导体轨道结构(4)。
9.根据权利要求8所述的经涂覆的柔性组件(1),其中至少一个导体轨道结构(4)具有至少一层由Cu、Al、Ag、Cu基合金、Al基合金或Ag基合金组成的金属层(5)。
10.根据权利要求8所述的经涂覆的柔性组件(1),其中基于难熔金属的涂层(3)是至少一个导体轨道结构(4)的一部分。
11.根据权利要求9所述的经涂覆的柔性组件(1),其中基于难熔金属的涂层(3)设置在柔性基板(2)与由Cu、Al、Ag、Cu基合金、Al基合金或Ag基合金组成的金属层(5)之间。
12.根据权利要求8所述的经涂覆的柔性组件(1),其中经涂覆的柔性组件(1)还包含至少一层半导体层(6)。
13.根据权利要求8所述的经涂覆的柔性组件(1),其中基于难熔金属的涂层(3)为TFT结构的一部分。
14.根据权利要求1或2所述的经涂覆的柔性组件(1),其中经涂覆的柔性组件(1)为选自以下的组件:柔性LCD显示器、柔性OLED显示器、柔性电泳显示器(电子纸)、柔性太阳能电池、电致变色柔性膜、柔性薄膜电池。
15.根据权利要求1或2所述的经涂覆的柔性组件(1),所述柔性组件(1)为柔性电子组件。
16.制备经涂覆的组件(1)方法,所述方法至少包括以下步骤:
-提供柔性基板(2);
-通过沉积至少一层基于难熔金属的金属涂层(3)来涂覆柔性基板(2),该涂层是
MoRe涂层,
基于Mo的MoXRe涂层,其中X=Nb,Ta,Ti,W,
WRe涂层,或
基于W的WXRe涂层,其中X=Nb,Ta,Ti,Mo,
其特征在于基于难熔金属的涂层(3)包含大于6原子%且小于50原子%的Re。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普兰西股份有限公司,未经普兰西股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680069437.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有经扩展光谱响应的固态图像传感器
- 下一篇:半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的