[发明专利]灵活DLL(延迟锁相环)校准在审
申请号: | 201680069525.8 | 申请日: | 2016-11-23 |
公开(公告)号: | CN108292513A | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | S.奎瓦米;M.阿伦;R.孙达拉姆 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C7/22 | 分类号: | G11C7/22;H03L7/081 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;闫小龙 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器设备 校准模式 校准 延迟锁相环 禁用 校准存储器 主机控制器 输入/输出 操作状况 接口电路 控制电路 校准操作 时序 耦合 配置的 电路 灵活 配置 制止 | ||
1.一种用于存储数据的存储器设备,包括:
输入/输出(I/O)接口电路,其要与相关联的主机控制器交换数据;
延迟锁相环(DLL)电路,其被耦合以控制I/O接口的I/O时序;以及
控制电路,其要根据为存储器设备配置的DLL校准模式来选择性地启用和禁用针对DLL电路的DLL校准,其中当被选择性地启用时,DLL校准要以由DLL校准模式标识的时间间隔进行操作,并且当被选择性地禁用时,DLL校准要制止跟踪相位更新。
2.根据权利要求1所述的存储器设备,其中存储器设备包括三维(3D)堆叠存储器设备。
3.根据权利要求2所述的存储器设备,其中存储器设备包括3D交叉点(3DXP)存储器设备。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器设备,其中控制电路要在运行时间选择性地启用和禁用DLL校准。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器设备,其中DLL校准模式包括主机发起的校准模式,其中相关联的主机控制器要发送命令以选择性地启用或禁用DLL校准。
6.根据权利要求5所述的存储器设备,其中相关联的主机控制器要至少部分地基于针对存储器设备的噪声表征来选择DLL校准模式。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器设备,其中DLL校准模式包括其中当存储器设备处于活跃操作状态时DLL校准要连续地操作并且当存储器设备处于低功率操作状态时DLL校准关闭的模式。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器设备,其中DLL校准模式包括其中当存储器设备处于空闲操作状态时DLL校准要连续地操作并且当存储器设备处于低功率操作状态时DLL校准关闭的模式。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器设备,其中相关联的主机控制器要基于存储器设备的操作状态来选择DLL校准模式。
10.根据权利要求9所述的存储器设备,其中相关联的主机控制器要基于存储器设备的低功率状态来选择DLL校准模式。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器设备,其中DLL配置模式包括其中DLL校准连同ZQCal操作一起发生的模式。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的存储器设备,进一步包括要存储针对DLL校准模式的配置设置的模式寄存器。
13.一种用于控制存储器设备中的I/O(输入/输出)同步的方法,包括:
根据存储器设备的DLL(延迟锁相环)校准模式设置来确定针对DLL电路选择性地启用还是禁用DLL校准,所述DLL电路被耦合以控制存储器设备的I/O接口的(输入/输出)I/O时序,其中相关联的主机控制器设置DLL校准模式;以及
根据DLL校准模式来执行针对DLL电路的DLL校准,其中当DLL校准被选择性地启用时,以由DLL校准模式标识的时间间隔执行DLL校准,并且当DLL校准被选择性地禁用时,不执行DLL校准。
14.根据权利要求13所述的方法,其中存储器设备包括三维堆叠存储器设备。
15.根据权利要求13所述的方法,其中执行DLL校准进一步包括在其中当存储器设备处于活跃操作状态时以及当存储器设备处于低功率操作状态时DLL校准连续的一直打开模式中执行DLL校准。
16.根据权利要求13所述的方法,其中执行DLL校准进一步包括在其中当存储器设备处于活跃操作状态时DLL校准连续并且当存储器设备处于低功率操作状态时DLL校准关闭的活跃打开模式中执行DLL校准。
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