[发明专利]利用反掺杂结的电器件

权利要求书

1.一种电器件，包括：

从由pn结或p-i-n结组成的组中选择的反掺杂异质结，该反掺杂异质结包括利用n型主掺杂剂掺杂的第一半导体和利用p型主掺杂剂掺杂的第二半导体；

从由第一半导体和第二半导体组成的组中选择的被反掺杂的第一反掺杂组件，该第一反掺杂组件被掺杂有一个或多个反掺杂剂，该一个或多个反掺杂剂具有与包括在该第一反掺杂组件中的主掺杂剂的极性相反的极性；以及

某一水平的n型主掺杂剂、p型主掺杂剂以及该一个或多个反掺杂剂，其使得该反掺杂异质结通过声子辅助机制来提供放大并且该放大具有小于1V的起始电压。

2.根据权利要求1所述的电器件，其中该起始电压大于0.1V并且小于0.9V。

3.根据权利要求1所述的电器件，其中该第一半导体和该第二半导体被反掺杂。

4.根据权利要求1所述的电器件，其中该第一反掺杂组件中的一个或多个反掺杂剂的总浓度多于该第一反掺杂组件中的掺杂剂的总百分比的10%并且小于该第一反掺杂组件中的掺杂剂的总百分比的50%。

5.根据权利要求4所述的电器件，其中该第一反掺杂组件中的一个或多个反掺杂剂的总浓度多于2.0E17cm^-3。

6.根据权利要求5所述的电器件，其中该第一反掺杂组件中的主掺杂剂的总浓度多于包括在该第一反掺杂组件中的半导体的针对导带或者价带的态密度。

7.根据权利要求1所述的电器件，进一步包括第二反掺杂组件，

当该第一反掺杂组件是第二半导体时，该第二反掺杂组件是第一半导体，以及

当该第一反掺杂组件是第一半导体时，该第二反掺杂组件是第二半导体。

8.根据权利要求7所述的电器件，其中该第一反掺杂组件中的一个或多个反掺杂剂的总浓度多于该第一反掺杂组件中的掺杂剂的总百分比的1%并且小于该第一反掺杂组件中的掺杂剂的总百分比的50%；以及

该第二反掺杂组件中的一个或多个反掺杂剂的总浓度多于该第一反掺杂组件中的掺杂剂的总百分比的10%并且小于该第一反掺杂组件中的掺杂剂的总百分比的50%。

9.根据权利要求1所述的电器件，其中该反掺杂异质结是pn结。

10.根据权利要求1所述的电器件，其中该反掺杂异质结是p-i-n结，其包括在第一半导体和第二半导体之间的第三半导体，

该第三半导体是本征半导体，并且

该第三半导体是超晶格。

11.根据权利要求10所述的电器件，其中该超晶格包括被重复多次以便形成该超晶格的超晶格单元，

每一个超晶格单元都具有互相平行的多个有序原子面，

超晶格单元中的原子面中的至少两个具有不同的化学组成，并且超晶格单元中的原子面中的一个或多个包括碳。

12.根据权利要求11所述的电器件，其中包括碳的一个或多个原子面中的一个或多个中的每个都包括多于10%的替代碳。

13.根据权利要求10所述的电器件，其中该超晶格包括被重复多次以便形成该超晶格的超晶格单元，

每一个超晶格单元都具有互相平行的多个有序原子面，

超晶格单元中的原子面中的至少两个具有不同的化学组成并且超晶格单元中的原子面中的一个或多个包括铅。

14.根据权利要求11所述的电器件，其中包括碳的一个或多个原子面中的一个或多个中的每个都包括小于或等于10%的替代铅。