[发明专利]电容式微机械超声换能器（CMUT）的偏置及相关装置和方法在审
| 申请号： | 201680069783.6 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108366774A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 苏珊·A·阿列;海梅·斯科特·扎霍里安;陈凯亮 | 申请（专利权）人： | 蝴蝶网络有限公司 |
| 主分类号： | A61B8/00 | 分类号： | A61B8/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;张维克 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超声换能器 电容式微机械超声换能器 偏置电压 超声器件 方法描述 相关装置 电偏置 组接收 偏置 分组 | ||
1.一种超声器件，包括：
衬底；
多个超声换能器，所述多个超声换能器与所述衬底集成并且包括第一组超声换能器和第二组超声换能器；以及
多个可单独电控制的偏置电极，所述多个可单独电控制的偏置电极包括对应于所述第一组超声换能器的第一偏置电极以及对应于所述第二组超声换能器的第二偏置电极。
2.根据权利要求1所述的超声器件，其中，所述第一组超声换能器是电容式微机械超声换能器。
3.根据权利要求2所述的超声器件，其中，所述第一偏置电极是所述电容式微机械超声换能器的公共膜。
4.根据权利要求2所述的超声器件，其中，所述衬底是半导体晶片，并且其中，所述电容式微机械超声换能器与所述半导体晶片进行单片集成。
5.根据权利要求2所述的超声器件，其中，所述衬底具有宽度在约20mm与约40mm之间并且高度在约2mm与约10mm之间的器件表面，并且其中，所述多个可单独电控制的偏置电极包括与所述多个超声换能器的各组相对应的四个与十个之间的偏置电极。
6.根据权利要求2所述的超声器件，还包括多个偏置线，所述多个偏置线与所述多个可单独电控制的多个偏置电极相对应，并且包括耦接至所述第一偏置电极和第一电源的第一偏置线以及耦接至所述第二偏置电极和第二电源的第二偏置线。
7.根据权利要求1所述的超声器件，还包括与所述衬底集成并且被配置成检测所述第一组超声换能器的电响应的检测电路。
8.根据权利要求1所述的超声器件，还包括与所述衬底集成并且被耦接至所述第一组超声换能器和所述第二组超声换能器的集成电路。
9.一种操作超声器件的方法，所述超声器件具有衬底和与所述衬底集成的多个超声换能器，所述方法包括：
以第一偏置电压对与所述多个超声换能器中的第一组超声换能器对应的第一偏置电极进行电偏置；以及
在对所述第一偏置电极进行偏置的同时，以不同于所述第一偏置电压的第二偏置电压对与所述多个超声换能器中的第二组超声换能器对应的第二偏置电极进行电偏置。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一组超声换能器是电容式微机械超声换能器，并且其中，对所述第一偏置电极进行电偏置包括对所述电容式微机械超声换能器的公共膜进行电偏置。
11.根据权利要求9所述的方法，还包括：响应于对所述第一偏置电极进行电偏置来检测所述第一组超声换能器的电响应。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一偏置电压比所述第二偏置电压高出多达约30％。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，使用与所述衬底集成的集成电路来执行对所述第一偏置电极的电偏置。
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