[发明专利]电熵存储器设备

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

电熵存储设备(EESD)的阵列，每个EESD都包括具有大于3.9的相对电容率的介电材料，所述介电材料包括多个聚合物分子，所述聚合物分子包括蛋白质、聚对二甲苯、丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、聚乙二醇、氨基甲酸酯聚合物、环氧聚合物、硅氧烷聚合物、萜类聚合物、天然存在的树脂聚合物、聚异氰酸酯或其组合，其中，

每个EESD都是所述存储器设备中的存储元件，所述EESD具有2-4096个逻辑状态；

每个EESD都具有由施加在所述EESD耦合到的地址线和数据线之间的电压确定的逻辑状态，并且

每个EESD具有固有电容，并且所述电压修改所述固有电容，其中，当施加的电压被移除时，所述EESD的所述固有电容保持不变；

按行布置以选择一行EESD的多个地址线；和

按列布置以选择一列EESD的多个数据线，其中，每个EESD都串联地耦合在被连接至所述EESD的一侧的地址线与被连接至所述EESD的相对侧的数据线之间。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，在数据线与地址线交叉的每个交叉点处都存在空间分离，并且所述空间分离中的每个都被在所述地址线与所述数据线之间串联地耦合的EESD占用。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述介电材料还包括无机盐，其中，所述无机盐包括硼化合物、钛酸钡或过渡金属盐。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，所述介电材料还包括基本上均匀分布在整个材料中的包含Y、Ni、Sm、Sc、Tb、Yb、La、Te、Ti、Zr、Ge、Mg、Pb、Hf、Cu、Ta、Nb、Bi或其组合的电容率增加材料。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述多个地址线和/或所述多个数据线中的每一个都包括电绝缘金属、碳化聚合物、传导碳或导电聚合物。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述存储器设备不包含晶体管；或者

所述存储器设备包含一个或多个晶体管，并且所述存储器设备的晶体管与EESD之比小于1。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的存储器设备，其中：

(i)所述EESD的体积为0.00001-10000μm³；

(ii)所述EESD的密度在0.01kb至1024TB/cm³范围内；或者

(iii)(i)和(ii)二者的组合。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述多个地址线或者所述多个数据线被布置在非硅衬底上。

9.根据权利要求1所述的存储器设备，所述存储器设备具有分层结构，所述分层结构包括：

包括按行布置的所述多个地址线的第一层；

包括按列布置的所述多个数据线的第二层，其中，在所述第二层的数据线与所述第一层的地址线交叉的每个交叉点处都存在第一空间分离；

所述EESD的阵列，其中，所述阵列中的EESD位于所述第一空间分离内，并且每个EESD都串联地耦合在所述第一层的被连接至所述EESD的一侧的地址线与所述第二层的被连接至所述EESD的相对侧的数据线之间；

按行布置并且与所述第二层的数据线交叉的第三层的地址线，其中，在所述第三层的地址线与所述第二层的数据线交叉的每个交叉点处都存在第二空间分离；以及

EESD的第二阵列，其中，所述第二阵列中的每个EESD都是所述存储器设备中的存储元件，并且其中，所述第二阵列中的EESD位于所述第二空间分离中，并且所述第二阵列中的每个EESD都串联地耦合在所述第二层的被连接至所述EESD的一侧的电极数据线与所述第三层的被连接至所述EESD的相对侧的地址线之间。