[发明专利]一种在MEMS装置中形成多个布线层的方法

权利要求书

1.一种在MEMS装置中形成多个布线层的方法，包括：

确定沟槽布局，其中所述沟槽布局包括限定多个孔布置区域的一个或多个几何图案；

识别用于一个或多个锚固沟槽的位置，其中锚固沟槽是布置在所述沟槽布局的一部分的限定的孔布置区域内的辅助沟槽，其中识别所述位置包括：确定所述限定的孔布置区域内的位置，所述锚固沟槽和所述沟槽布局之间的衬底材料的一部分足够小以致氧化；

将所述沟槽布局蚀刻到衬底晶片中以形成多个沟槽；

将所述一个或多个锚固沟槽蚀刻到所述衬底晶片中；

在所述衬底晶片的表面上生长基部层，其中所述衬底晶片的所述表面包括所述衬底晶片的上表面以及所述多个沟槽和所述一个或多个锚固沟槽的内表面和底表面；

将第一层导电材料沉积在所述多个沟槽和所述一个或多个锚固沟槽内；

在所述多个沟槽一部分上沉积绝缘层，所述多个沟槽一部分与限定所述孔布置区域的所述沟槽布局的所述部分相对应；以及

将第二层导电材料沉积在所述绝缘层的顶部上，使得所述第二层导电材料覆盖所述绝缘层和所述一个或多个锚固沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过所述多个孔布置区域蚀刻到所述衬底晶片中，以去除由所述多个孔布置区域所包围的衬底材料，从而导致MEMS装置中的多个孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个孔布置区域包括一个或多个几何形状。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述一个或多个锚固沟槽限定内部孔布置区域，其中所述内部孔布置区域包括与其中设置有对应所述锚固沟槽的孔布置区域相同的几何形状。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括所述多个沟槽中的一者与所述第二层导电材料之间的桥连接。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层被沉积成使得所述锚固沟槽与所述多个沟槽的一部分之间的所述衬底材料被所述绝缘层覆盖。