[发明专利]产生薄无机膜的方法

权利要求书

1.一种包括使通式(I)化合物变为气态或气溶胶状态并使气态或气溶胶状态的通式(I)化合物沉积在固体基材上的方法，

其中

M为Mn、Ni或Co，

X为与M配位的配体，

n为0、1或2，

R¹、R²为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，

m为1、2或3，

R³、R⁴和R⁵为烷基、链烯基、芳基、烷氧基或芳氧基，且

p为1、2或3。

2.根据权利要求1的方法，其中R³、R⁴和R⁵中的两个相同且第三个不同于其他两个，或者所有R³、R⁴和R⁵彼此不同。

3.根据权利要求1的方法，其中n为0，m为2和p为1。

4.根据权利要求2的方法，其中n为0，m为2和p为1。

5.根据权利要求1的方法，其中R¹和R²为甲硅烷基。

6.根据权利要求2的方法，其中R¹和R²为甲硅烷基。

7.根据权利要求3的方法，其中R¹和R²为甲硅烷基。

8.根据权利要求4的方法，其中R¹和R²为甲硅烷基。

9.根据权利要求1-8中任一项的方法，其中R³、R⁴和R⁵为甲基、乙基、异丙基或叔丁基。

10.根据权利要求1-8中任一项的方法，其中M为Co。

11.根据权利要求9的方法，其中M为Co。

12.根据权利要求1-8中任一项的方法，其中使通式(I)化合物化学吸附至固体基材的表面。

13.根据权利要求11的方法，其中使通式(I)化合物化学吸附至固体基材的表面。

14.根据权利要求1-8中任一项的方法，其中通过除去所有配体来分解经沉积的通式(I)化合物。

15.根据权利要求13的方法，其中通过除去所有配体来分解经沉积的通式(I)化合物。

16.根据权利要求14的方法，其中将经沉积的通式(I)化合物暴露于还原剂。

17.根据权利要求15的方法，其中将经沉积的通式(I)化合物暴露于还原剂。

18.根据权利要求14的方法，其中在固体基材上沉积通式(I)化合物以及分解经沉积的通式(I)化合物的序列进行至少两次。

19.根据权利要求15-17中任一项的方法，其中在固体基材上沉积通式(I)化合物以及分解经沉积的通式(I)化合物的序列进行至少两次。