[发明专利]铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法

权利要求书

1.一种在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法，所述方法包含：

在衬底上方形成非铁电含金属氧化物的绝缘体材料，所述非铁电含金属氧化物的绝缘体材料包括由下列成员组成的群组中的至少一个成员：氧化钇锆、氧化铪锆、氧化铪硅和铪锆硅氧化物；

形成包含第一非铁电金属氧化物和在所述第一非铁电金属氧化物上方的第二非铁电金属氧化物的复合堆叠，所述第一非铁电金属氧化物包括第一组合物，且所述第二非铁电金属氧化物包括不同于所述第一组合物的第二组合物，所述第一组合物及所述第二组合物的每一者均独立地从由下列各项所组成的组合物的群组中选出：TiO_x、AlO_x、Al₂O₃、ScO_x、Sc₂O₃、ZrO_x、YO_x、Y₂O₃、MgO_x、MgO、HfO_x、SrO_x、SrO、Ta_xO_y、NbO_x、GdO_x、MoO_x、RuO_x、LaO_x、V_xO_y、IrO_x、CrO_x、ZnO_x、PrO_x、CeO_x、SmO_x及LuO_x，所述复合堆叠形成于所述非铁电含金属氧化物的绝缘体材料的正上方或正下方且具有至少1×10²西门子/厘米的总体导电率；

所述复合堆叠的存在使得所述非铁电含金属氧化物的绝缘体材料变为铁电的；及

在所述复合堆叠及所述绝缘体材料上方形成导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述复合堆叠具有不大于1×10³西门子/厘米的总体导电率。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述导电材料中的任一者之前，所述含金属氧化物的绝缘体材料为铁电的。

4.根据权利要求1所述的方法，其包含在形成所述复合堆叠之前形成所述绝缘体材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其包含在形成所述绝缘体材料之前形成所述复合堆叠。

6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述复合堆叠形成为基本上由至少两种不同非铁电金属氧化物组成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述复合堆叠形成为另外包含SiO₂。

8.根据权利要求1所述的方法，其包含将所述复合堆叠形成为比所述导电材料的导电率低。

9.根据权利要求1所述的方法，其包含将所述复合堆叠与所述绝缘体材料形成为彼此直接抵靠。

10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述复合堆叠形成为基本上由至少两种不同非铁电金属氧化物组成。

11.根据权利要求1所述的方法，其包含将所述导电材料形成为直接抵靠所述复合堆叠。

12.根据权利要求11所述的方法，其中将所述复合堆叠形成为基本上由所述第一组合物和所述第二组合物组成。

13.根据权利要求1所述的方法，其包含将所述导电材料形成为直接抵靠所述绝缘体材料。