[发明专利]具有介质盘的同轴谐振器

说明书

提供了一种同轴谐振器(160)。所述同轴谐振器(160)具有第一侧(161)和第二侧(162)，所述同轴谐振器包括具有第一表面(121)、第二表面(122)以及孔的介质盘(120)，其中所述同轴谐振器(160)的所述第二侧(162)连接到所述介质盘的所述第一表面(121)，其中所述同轴谐振器(160)进一步包括连接到所述介质盘的第二表面(122)的导电元件(150)。还提供了一种滤波器(200)，其包括壳体(110)，所述壳体包括盖/罩(140)和底座(130)，所述底座具有适于容纳所述同轴谐振器(160)的一个或多个腔体(135)。

技术领域

本公开涉及同轴谐振器，更具体地说，涉及具有介质盘和位于介质盘顶部的金属元件的同轴谐振器。

背景技术

最简单形式的带通滤波器包括多个谐振器，这些谐振器的布置方式使得输入信号首先被输入到输入端口，然后被输入到第一谐振器，接着依次经过第二谐振器和其它谐振器，直到其到达最后一个谐振器并从输出端口离开滤波器。

例如基站中的射频RF带通滤波器使用气腔同轴谐振器。该技术被用于构建在大约500-3000MHz频率下处理10-120W RF之间的中高功率水平的基站中使用的滤波器。

介质谐振器被用于缩小滤波器尺寸并在带通滤波器中获得较高的Q值。Q值是谐振器的质量因数，例如，谐振器内所存储能量和所消耗能量之间的比率。使用具有不同操作模式的不同介质谐振器。一些解决方案使用横向电场TE模式，该模式具有极高的Q值和适中的尺寸缩减。

另一示例是使用横向磁场TM模式介质谐振器。它提供相同体积内的较高的Q值，并提供良好的功率处理能力。TM模式技术的优势在爱立信专利US 8,773,222 B2中详细说明。

今天的市场提供介电常数从10到48的各种高介电材料，它们具有足够的RF性质(诸如Q值和热膨胀系数)，同时制造成本也很合理。这些类型的介电材料已经针对1GHz以上的频带用于具有TE模式和TM模式的滤波器。

先前的技术在低于1G Hz的低频处存在尺寸问题，从而妨碍了较小的基站。

发明内容

本发明的一个目标是缓解上述至少一些问题。具体而言，本发明的一个目标是提供一种当在滤波器中使用时，允许过滤1GHz以下的低频率的同轴谐振器。这些目标以及其它目标通过提供根据下面所附的独立权利要求所述的同轴谐振器和滤波器来实现。本发明的进一步的目标是在较低频率(例如，低于1GHz)下实现较小的滤波器。

根据一方面，提供了一种同轴谐振器。所述同轴谐振器具有第一侧和第二侧，所述同轴谐振器包括具有第一表面、第二表面以及孔的介质盘，其中所述同轴谐振器的所述第二侧连接到或固定到所述介质盘的所述第一表面，其中所述同轴谐振器进一步包括连接到所述介质盘的第二表面的导电元件。

根据一方面，提供了一种滤波器。所述滤波器包括壳体，所述壳体包括盖/罩和底座，所述底座具有适于容纳根据此处描述的任一实施例所述的至少一个同轴谐振器的一个或多个腔体。