[发明专利]磁检测装置及其制造方法

说明书

提供一种通过在形成于基板的凹部的倾斜侧面形成磁阻效应元件来检测X－Y－Z方向的各方向的磁的磁检测装置及其制造方法。在Z检测部(10)，在Z检测凹部(11A、11B)的倾斜侧面(13、14)设置有磁阻效应元件(40(R1、R2、R3、R4))，在X检测部(20)，在X检测凹部(21A、21B)的倾斜侧面(23、24)设置有磁阻效应元件(40(R5、R6、R7、R8))，在Y检测部(30)，在Y检测凹部(31A、31B)的倾斜侧面(33、34)设置有磁阻效应元件(40(R9、R10、R11、R12))。各个磁阻效应元件(40)的固定磁性层的固定磁化(P)被决定为实线的箭头所示的方向。

技术领域

本发明涉及在形成于基板的凹部的倾斜侧面配置有磁阻效应元件的磁检测装置及其制造方法。

背景技术

专利文献1中记载有与磁传感器相关的发明，该磁传感器在基板上形成有槽，并在槽的倾斜面形成检测部。

关于该磁传感器，通过对具有(100)的晶面的硅晶片进行蚀刻而在槽的侧面形成构成(111)的晶面的倾斜面。在槽的同一个倾斜面形成一对检测部，在另一个倾斜面形成固定电阻，利用检测部和固定电阻构成电桥电路。在各个检测部，磁化的灵敏度方向被决定为斜面的深度方向。

在专利文献2中也记载有如下的技术：对硅基板进行蚀刻而形成凹部和倾斜面，并在倾斜面形成TMR或GMR的磁阻效应元件。

该磁阻效应元件具有PIN层和软磁层。当在硅基板成膜磁阻效应元件后，沿与硅基板的基板面垂直的方向施加磁场并进行退火，由此使PIN层的磁化沿着凹部的深度方向。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－20092号公报

专利文献2：日本特开2007－235051号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1所记载的磁传感器中，将一对检测部形成在基板的槽的同一个倾斜面。相对于外部的磁场，一对检测部具有相同极性的灵敏度，因此，在构成电桥电路时，必须将各个检测部与固定电阻串联连接。由于固定电阻并不与外部磁场发生感应，因此在提高利用电桥电路检测到的磁检测输出的灵敏度的方面存在极限。

关于专利文献2所记载的磁阻效应元件，施加与硅基板的基板面垂直的磁场并进行退火处理，使形成在对置的倾斜面上的磁阻效应元件的PIN层的磁化沿着倾斜面的深度方向、且均统一朝向上方。因此，能够形成为相对于外部磁场而使形成在对置的倾斜面上的磁阻效应元件的电阻值相互为相反的极性。

然而，专利文献2所记载的发明仅止于如何制造磁阻效应元件这样的记载，并不清楚使用各个磁阻效应元件构成何种检测电路。

并且，关于专利文献2所记载的磁阻效应元件，由于通过施加相对于硅基板的基板面朝向上方的磁场并进行退火处理来将PIN层的磁化固定，因此所有的磁阻效应元件的PIN层的磁化的固定方向均朝向上方，所能够形成的磁阻效应元件的种类有限。即、在通过在磁场中退火来设定PIN层的磁化的固定的方法中，难以在同一基板上混杂配置灵敏度轴不同的磁阻效应元件。

本发明是为了解决上述现有的课题而完成的，其目的在于提供一种能够使用设置在基板的倾斜侧面上的磁阻效应元件高精度地检测各种方向的磁的磁检测装置及其制造方法。

用于解决课题的手段

本发明提供一种磁检测装置，

具有：基板，具有凹部；以及磁阻效应元件，设置于上述凹部的倾斜侧面，

上述磁检测装置的特征在于，