[发明专利]雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 201680070709.6 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN108369968B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 夏秋和弘;泷本贵博;內田雅代 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 雪崩 光电二极管 | ||
1.一种雪崩光电二极管,其特征在于,包括:
形成于第一导电型的基板上的所述第一导电型的第一半导体层；
形成于所述第一半导体层的正下方并与所述第一导电型为相反的第二导电型的第二半导体层；
形成于所述基板的所述第一半导体层的浅的部分并与所述第一半导体层的杂质浓度相比为高浓度的所述第一导电型的第三半导体层；
形成于所述第三半导体层的正下方的所述第一半导体层内的区域的所述第一导电型的第四半导体层；
与所述第一半导体层电性地连接的第一接点；
与所述第二半导体层电性地连接的第二接点；
隔着绝缘膜并形成于所述基板的所述第一半导体层的侧方且在所述第一接点与所述第二接点之间的区域上的电极；
所述第四半导体层的杂质浓度高于所述第一半导体层的杂质浓度,且低于所述第三半导体层的杂质浓度，
所述绝缘膜中的与所述电极重叠的部分与所述第一半导体层的靠所述第二接点侧的侧面直接接触。
2.根据权利要求1所述雪崩光电二极管,其特征在于,
所述基板为所述第一导电型的硅基板,所述第三半导体层的杂质浓度超过在硅中的固溶度。
3.根据权利要求1或2所述雪崩光电二极管,其特征在于,
所述第四半导体层的杂质浓度为不超过固溶度的浓度。
4.根据权利要求1或2任一项所述雪崩光电二极管,其特征在于,
耗尽层以不超过所述第四半导体层且不扩展至所述第三半导体层侧的方式构成。
5.一种雪崩光电二极管,其特征在于,包括:
形成于第一导电型的基板上的所述第一导电型的第一半导体层；
形成于所述第一半导体层的正下方并与所述第一导电型为相反的第二导电型的第二半导体层；
形成于所述基板的所述第一半导体层的浅的部分并与所述第一半导体层的杂质浓度相比为高浓度的所述第一导电型的第三半导体层；
形成于所述第三半导体层的正下方的所述第一半导体层内的区域的所述第一导电型的第四半导体层；
与所述第一半导体层电性地连接的第一接点；
与所述第二半导体层电性地连接的第二接点；
隔着绝缘膜并形成于所述基板的所述第一半导体层的侧方且在所述第一接点与所述第二接点之间的区域上的电极；
所述第四半导体层的杂质浓度高于所述第一半导体层的杂质浓度,且低于所述第三半导体层的杂质浓度，
所述第二半导体层的杂质浓度高于所述第一半导体层的杂质浓度,且低于所述第三半导体层的杂质浓度，
所述绝缘膜中的与所述电极重叠的部分与所述第一半导体层的靠所述第二接点侧的侧面直接接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
