[发明专利]处理氮化物膜的方法

权利要求书

1.一种处理金属氮化物膜的方法，包括以下步骤：将具有氧含量的退火的金属氮化物膜于200℃至450℃范围内的温度下暴露至等离子体，以降低所述金属氮化物膜的氧含量。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属氮化物膜包括以下一种或更多种：钛、钽和钨。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述金属氮化物膜包括金属硅化氮化物。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述金属氮化物膜具有大于或等于7原子百分比的氧含量。

5.如权利要求4所述的方法，其中暴露至所述等离子体的步骤将氧含量降低至小于或等于5.5原子百分比。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体包括以下一种或更多种：N₂、H₂或NH₃。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述等离子体实质上为纯的，其具有相对于离子化原子的总量为至少90％的离子化原子。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在暴露至所述等离子体之后，于所述金属氮化物膜的顶部沉积Co膜。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体以偏压功率和线圈功率产生。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述偏压功率在1瓦特至300瓦特的范围内。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述线圈功率在300瓦特至1500瓦特的范围内。

12.如权利要求1所述的方法，其中暴露至所述等离子体的步骤于1mTorr至100mTorr范围内的压力下进行。

13.如权利要求1所述的方法，其中暴露至所述等离子体的步骤于15秒至90秒范围内的时间进行。

14.一种降低金属氮化物膜的氧含量的方法，包括以下步骤：

退火基板，所述基板上具有金属氮化物膜，退火以500℃至600℃范围的温度进行；

允许所述金属氮化物膜被氧化，以具有大于或等于7原子百分比的氧含量；和

将经氧化的金属氮化物膜暴露至等离子体，以降低氧含量至小于或等于5.5原子百分比，所述等离子体包括以下一种或更多种：N₂、H₂或NH₃。

15.如权利要求14所述的方法，其中退火所述膜的步骤形成金属硅化氮化物膜。

16.如权利要求14所述的方法，进一步包括以下步骤：在暴露至所述等离子体之后，于所述金属氮化物膜上形成钴膜。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述金属氮化物膜包括以下一种或更多种：Ta、Ti或W。

18.如权利要求14所述的方法，其中所述等离子体实质上为纯的，其具有相对于离子化原子的总量为至少90％的离子化原子。

19.一种降低金属氮化物膜的氧含量的方法，包含以下步骤：

提供硅基板，所述硅基板上具有金属氮化物膜，所述金属氮化物膜包括以下一种或更多种：钛、钽或钨；

退火所述基板以建立金属硅化氮化物膜，退火以500℃至600℃范围的温度进行；

允许所述金属硅化氮化物膜被氧化，以形成经氧化退火的金属硅化氮化物膜，所述经氧化退火的金属硅化氮化物膜具有大于或等于8原子百分比的氧含量；

将所述经氧化退火的金属硅化氮化物膜暴露至等离子体，以形成具有小于或等于5.5原子百分比的氧含量的经处理的金属硅化氮化物膜，所述等离子体包括以下一种或更多种：N₂、H₂或NH₃；和

在所述经处理的金属硅化氮化物膜上形成钴膜。