[发明专利]晶片逐点分析和数据呈现

说明书

一种用于晶片逐点分析的方法，包括以下步骤：接收第一工艺配方的第一配方参数、第二工艺配方的第二配方参数，使用第一工艺配方来处理的第一晶片上的多个位置的第一多个测量和使用第二工艺配方来处理的第二晶片上的多个位置的第二多个测量。使用用于多个配方参数第一值与第二值和第一多个测量与第二多个测量来运算多个灵敏度值，多个灵敏度值中的每一个对应于多个位置中的一个并且表示多个配方参数中的一个的灵敏度。接着提供晶片的图形表示，图形表示显示多个位置的第一多个灵敏度值的至少子组。

技术领域

本发明的实施方式大体涉及扩充现有的晶片分析以执行晶片逐点实验设计(DOE)分析。

背景技术

对更高的个人计算机处理速度的持续需求需要更小的晶片上特征。更小特征的需求产生关于光学平版印刷术系统和相关联的晶片计量学上的更大需求。随着特征指数地变得更小，晶片各处的几何均匀性变得更加有用。

灵敏度(sensitivity)分析是用于确定不同的自变量值将如何在给定的条件集合(腔室参数)下影响特定因变量(例如晶片膜厚度)的技术。举例而言，晶片上的灵敏度分析有益于确定不同的晶片配方参数如何影响晶片膜厚度。

通常，是从跨整个晶片的单一、平均的灵敏度的观点来检视和分析灵敏度分析输出。更复杂的方法提供跨晶片的径向灵敏度值，其中是跨晶片针对若干径向截断(intercept)确定灵敏度值。

发明内容

为了提供本公开内容的某些方面的基本理解，下文是本公开内容的简化概要。此概要并非本公开内容的广泛综述。不欲识别本公开内容的关键或重要的元件，也不欲叙述本公开内容的特定实施方式的任何范围或权利要求的任何范围。此概要唯一的目的是以简化的形式呈现本公开内容的某些构思，作为稍后呈现的更详细描述的前奏。

本发明的实施方式提供用于晶片逐点分析的改良的方法、系统和软件，来分析实验设计(DOE)数据。

在一个实施方式中，晶片的逐点分析包括以下步骤：接收与第一工艺配方相关联的多个配方参数的第一值，和接收使用第一工艺配方来处理的第一晶片上的多个位置的第一多个测量。实施方式可进一步包括以下步骤：接收与第二工艺配方相关联的多个配方参数的第二值，和接收使用第二工艺配方来处理的第二晶片上的多个位置的第二多个测量。实施方式可进一步包括以下步骤：使用多个配方参数的第一值、多个配方参数的第二值、第一多个测量和第二多个测量，运算多个灵敏度值。在各种实施方式中，多个灵敏度值中的每一个可对应于多个位置中的一个并且表示对于多个配方参数中的一个的灵敏度。此外，在一个实施方式中，所述方法包括以下步骤：提供晶片的图形表示，图形表示显示多个位置的第一多个灵敏度值的至少子组。

此外，本公开内容的实施方式涉及DOE分析系统，DOE分析系统包括：存储器，用于储存多个DOE参数和值；和处理装置，操作耦合至所述存储器。在一个实施方式中，所述处理装置用于执行以上所列的操作。在另一实施方式中，非暂时性机器可读存储介质包括指令，当由处理装置存取时，指令引起处理装置执行以上操作。

附图说明

将从下文给出的详细说明和本发明的各种实施方式的附图更完全地理解本发明的各种实施方式。

依据本发明的实施方式，图1绘示晶片制造系统的示例性架构。

依据本发明的实施方式，图2A是晶片分析系统的示例性方框图。

依据本发明的实施方式，图2B是示例性晶片和相关联的数据点的方框图。

依据本发明的实施方式，图3是绘示用于针对制造工艺的逐点分析晶片的DOE数据的方法的流程图。

依据本发明的实施方式，图4是绘示用于确定与目标分布(profile)相关联的晶片配方的方法的流程图。

依据本发明的实施方式，图5是绘示用于确定与源腔室参数相关联的目标腔室参数的方法的流程图。