[发明专利]蚀刻用组合物以及利用该组合物半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种蚀刻用组合物，其中，包含：

第一无机酸；

第一添加剂，其为选自有机亚磷酸酯、次磷酸盐及它们的混合物中的任意一种；以及

溶剂，

所述蚀刻用组合物进一步包含第二添加剂，所述第二添加剂包含选自硅基无机酸盐、烷氧基硅烷化合物、硅氧烷化合物、肟化合物、肟硅烷化合物以及它们的混合物中的任意一种。

2.根据权利要求1所述的蚀刻用组合物，其中，

所述第一无机酸是选自硫酸、硝酸、磷酸、硅酸、氢氟酸、硼酸、盐酸、高氯酸及其混合物中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的蚀刻用组合物，其中，

所述有机亚磷酸酯是选自亚磷酸二甲酯、亚磷酸二乙酯、亚磷酸二丙酯、亚磷酸二异丙酯、亚磷酸二丁酯、亚磷酸三甲酯、亚磷酸三乙酯、亚磷酸三丙酯、亚磷酸三异丙酯、亚磷酸三丁酯、亚磷酸二苯酯、亚磷酸二苄酯以及它们的混合物中的任意一种亚磷酸烃基酯。

4.根据权利要求1所述的蚀刻用组合物，其中，

所述次磷酸盐是选自次磷酸铵、次磷酸钠、次磷酸钾以及它们的混合物中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的蚀刻用组合物，其中，

所述蚀刻用组合物包含0.01至15重量%的所述第一添加剂、70至99重量%的所述第一无机酸以及余量的溶剂。

6.根据权利要求1所述的蚀刻用组合物，其中，

所述硅基无机酸盐是由选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸、磷酸酐、焦磷酸、聚磷酸以及它们的混合物中的任意一种第二无机酸和用化学式10表示的硅烷化合物反应制备的硅基无机酸盐，

[化学式10]

在所述化学式10中，

所述R¹至R⁴分别为选自氢原子、卤原子、碳原子数1至10的烷基、碳原子数1至10的烷氧基以及碳原子数6至30的芳基中的任意一种，所述R¹至R⁴中的至少任意一个为卤原子或碳原子数1至10的烷氧基。

7.根据权利要求6所述的蚀刻用组合物，其中，

所述硅基无机酸盐包含用化学式100表示的化合物，

[化学式100]

在所述化学式100中，

所述R¹为选自氢原子、卤原子、碳原子数1至10的烷基、碳原子数1至10的烷氧基以及碳原子数6至30的芳基中的任意一种，

所述n₁为1至4的整数，所述m₁为1至10的整数，

所述R²至R⁴分别为氢。

8.根据权利要求1所述的蚀刻用组合物，其中，

所述硅基无机酸盐是由选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸、磷酸酐、焦磷酸、聚磷酸以及它们的混合物中的任意一种第二无机酸和用化学式20表示的硅氧烷化合物反应制备的硅氧基无机酸盐，

[化学式20]

在所述化学式20中，

所述R⁵至R¹⁰分别为选自氢原子、卤原子、碳原子数1至10的烷基、碳原子数1至10的烷氧基以及碳原子数6至30的芳基中的任意一种，

所述R⁵至R¹⁰中的至少任意一个为卤原子或碳原子数1至10的烷氧基，

所述n为1至10的整数。