[发明专利]具有圆柱各向异性热导率的复合装置有效
申请号: | 201680072098.9 | 申请日: | 2016-10-12 |
公开(公告)号: | CN108701628B | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 张三宏;凯文·帕塔斯恩斯基;凯文·R·史密斯 | 申请(专利权)人: | 沃特洛电气制造公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 王蕊;李轶 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 导热 加热器 弓形元件 复合材料 热导率 圆柱坐标系 复合装置 基底表面 同心排列 方位角 加工室 中支撑 基质 植入 轴向 加热 支撑 制造 | ||
1.一种用于在加工室中支撑基底和调节所述基底表面温度的设备,所述设备包含:
基座,其包括用于支撑所述基底的表面;和
加热器,用于加热所述基底,所述加热器紧邻所述基座布置,
其中所述基座是由复合材料制成的,其包含植入基质中的多个导热弓形元件,所述多个导热弓形元件是同心排列的,并且在径向上限定了有间距的预定的间隔,以使得其在基座的方位角方向上的热导率高于基座的径向(ρ)和轴向(z)方向上的热导率,从而加热器的热量沿着所述基座的方位角方向上均匀分布,和
其中,所述多个导热弓形元件与加热器的电路是分离的,并且由加热器所传递的热量加热。
2.根据权利要求1的设备,其中所述多个导热弓形元件限定了连续的环。
3.根据权利要求1的设备,其中所述多个导热弓形元件限定了分区排列的对称的段。
4.根据权利要求1的设备,其中所述多个导热弓形元件限定了不同的长度。
5.根据权利要求1的设备,其中所述多个导热弓形元件限定了不同的材料。
6.根据权利要求1的设备,其中所述多个导热弓形元件的至少一个限定了可变的宽度。
7.根据权利要求1的设备,其中所述多个导热弓形元件的至少一个限定了可变的追踪几何形状。
8.根据权利要求1的设备,其中所述基质是聚酰亚胺材料。
9.根据权利要求8的设备,其中所述聚酰亚胺材料是聚氧二亚苯基-苯均四酸酰亚胺材料。
10.根据权利要求1的设备,其中所述多个导热弓形元件是石墨纤维。
11.根据权利要求10的设备,其中当所述基座的重量10%包含石墨纤维时,所述基座在径向和轴向方向上的热导率是至少0.4W/mK。
12.根据权利要求10的设备,其中当所述基座的重量88%包含石墨纤维时,所述基座在径向和轴向方向上的热导率小于6.0W/mK。
13.根据权利要求10的设备,其中当基座的重量8%包含石墨纤维时,所述基座在方位角方向上的热导率是至少80W/mK。
14.根据权利要求10的设备,其中当所述基座的重量90%包含石墨纤维时,所述基座在方位角方向上的热导率小于900W/mK。
15.根据权利要求1的设备,其中所述加热器是层化的加热器。
16.一种为目标零件提供热的方法,其包含:
提供基座,其由复合材料制成的,其包含植入基质中的多个导热弓形元件,所述多个导热弓形元件是同心排列的,并且在径向上限定了有间距的预定的间隔;和
通过相邻部件将热施加到所述基座上,
其中在基座的方位角方向上的热导率高于基座的径向(ρ)和轴向(z)方向上的热导率,从而施加到基座的热量沿着所述基座的方位角方向上均匀分布,和
其中,所述多个导热弓形元件与加热器的电路是分离的,并且由加热器所传递的热量加热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造