[发明专利]电极的蚀刻方法和包含由该方法蚀刻的电极的二次电池在审
| 申请号： | 201680072414.2 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108370023A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 秋素英;金台洙;高俊相;尹世贤;李学俊;辛富建 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M4/525;H01M4/505;H01M10/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 电极 二次电池 电池形状 激光烧蚀 聚焦能量 高品质 有效地 上层 制造 | ||
1.一种通过激光烧蚀工序蚀刻电极的方法，其通过激光辐照来除去形成在电极表面上的一部分活性材料膜，所述方法包括
在所述蚀刻之前加热电极。
2.权利要求1的蚀刻电极的方法，其中，
所述活性材料膜是正极活性材料膜，其由选自由如下构成的组中的至少一种构成：LiCoO2；LiMnxO2x，其中x为1或2；LiFePO4；LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2；和LiNi1-xCoxMyO2，其中x为0至0.2，M为选自由Mg、Ca、Sr、Ba和La构成的组中的至少一种元素，并且y为0.001至0.02。
3.权利要求1的蚀刻电极的方法，其中，
所述活性材料膜为负极活性材料膜，其由选自由石墨、硅基化合物、含锗材料和含锡材料构成的组中的至少一者制成。
4.权利要求1的蚀刻电极的方法，其中，
通过选自由热风枪、射频(RF)感应器、感应红外(IR)灯和热板构成的组中的至少一者来进行所述加热。
5.权利要求1的蚀刻电极的方法，其中，
所述激光为脉冲激光。
6.权利要求1的蚀刻电极的方法，其中，
用于所述激光的聚焦透镜的焦距在100mm至300mm的范围内。
7.权利要求1的蚀刻电极的方法，其中，
所述激光的脉冲宽度在1ns至300ns的范围内。
8.权利要求1的蚀刻电极的方法，其中，
作为表示激光品质的变量的光束模式参数(M2)的值在1至2.0的范围内。
9.权利要求1的蚀刻电极的方法，其中，
所述激光的频率在20kHz至1000kHz的范围内。
10.权利要求1的蚀刻电极的方法，其中，
所述激光的速度在0.5m/s至5m/s的范围内。
11.权利要求1的蚀刻电极的方法，其中，
所述激光光斑的尺寸在18μm至86μm的范围内。
12.权利要求1的蚀刻电极的方法，其中，
所述激光的脉冲能量为0.1μJ至1000μJ。
13.一种制造二次电池的方法，所述方法包括通过权利要求1至12中任一项的蚀刻电极的方法来蚀刻电极。
14.一种二次电池，其包含通过权利要求1至12中任一项的蚀刻电极的方法蚀刻后的电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG化学株式会社，未经LG化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680072414.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
