[发明专利]具有灵活性的照射器在审
申请号: | 201680072463.6 | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN108369384A | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | P·V·凯卡 | 申请(专利权)人: | ASML控股股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 偏振 辐射束 偏振分布 强度分布 调制 照射器 分割 | ||
公开了一种方法,包括将辐射束分割成具有第一偏振的所述辐射束的第一部分和具有第二偏振的所述辐射束的第二部分;形成具有在该第一偏振与该第二偏振之间的第一偏振分布的第一束和/或通过调制所述束的第一部分而具有第一强度分布的第一束;形成具有在该第一偏振与该第二偏振之间的第二偏振分布的第二束和/或通过调制所述束的第二部分而具有第二强度分布的第二束;以及组合具有第二偏振的所述第一束的至少一部分与具有第一偏振的所述第二束的至少一部分。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年12月9日提交的美国临时专利申请No.62/265,294的优先权,该美国临时专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本说明书涉及用于量测术的方法和设备,所述量测术能够用于例如利用光刻技术制造器件。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的机器。例如,光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在集成电路的单层上形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常,通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转移。通常,单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。
在光刻过程中(即,显影器件或涉及光刻曝光的其它结构的过程,该过程通常可以包括一个或更多个相关联的处理步骤,诸如抗蚀剂显影、刻蚀等),经常期望对所产生的结构进行测量,例如用于过程控制和验证。已知用于进行这种测量的各种工具,包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜和用于测量重叠(衬底的两个层的对准精确度)的专用工具。近来,各种形式的散射仪已经被开发,应用在光刻领域中。这些装置将辐射束引导到目标上,并且测量散射辐射的一个或更多个属性,例如在单个反射角下作为波长的函数的强度、在一种或更多种波长下作为反射角的函数的强度、或者作为反射角的函数的偏振,以获得“光谱”,可以根据该“光谱”确定目标的感兴趣的属性。可以利用各种技术执行感兴趣的属性的确定:例如通过诸如严格耦合波分析或有限元方法、库搜索和主向量分析等迭代方法来重建目标结构。
发明内容
期望提供一种具有简单配置的用于量测设备的具有灵活性的照射器,通过该具有灵活性的照射器可提供具有期望的强度分布(即,照射形状)和期望的偏振(可选地包括期望的空间偏振分布)的辐射束。
在一个实施例中,提供一种方法,包括:提供具有第一偏振的第一束部分和具有不同的第二偏振的第二束部分;在该第二束部分未被阻挡的情况下阻挡该第一束部分,或从该第一束部分形成具有该第二偏振的第一束,该第一束具有通过调制该第一束部分而获得的第一强度分布;在该第一束部分未被阻挡的情况下阻挡该第二束部分,或从该第二束部分形成具有该第一偏振的第二束,该第二束具有通过调制该第二束部分而获得的第二强度分布;以及提供包括该第一束和/或该第二束的输出束,其中该输出束包括第一强度分布和/或第二强度分布并且包括第一偏振和/或第二偏振。
在一个实施例中,提供一种照射器,包括:第一调制器,配置成在具有不同的第二偏振的第二束部分未被阻挡的情况下阻挡具有第一偏振的第一束部分,或配置成从该第一束部分形成具有该第二偏振的第一束,该第一束具有通过调制该第一束部分而提供的第一强度分布;第二调制器,配置成在该第一束部分未被阻挡的情况下阻挡该第二束部分,或配置成从该第二束部分形成具有该第一偏振的第二束,该第二束具有通过调制该第二束部分而提供的第二强度分布;以及偏振分束表面,配置成提供包括该第一束和/或该第二束的输出束,其中该输出束包括该第一强度分布和/或该第二强度分布并且包括该第一偏振和/或该第二偏振。
在本文中参考附图详细地描述本发明的实施例的特征和/或优点以及本发明的各个实施例的结构和操作。应该注意的是,本发明不限于本文中所述描述的具体实施例。本文中给出的这些实施例仅用于说明的目的。基于本文所包含的教导,相关领域的技术人员将明白额外的实施例。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML控股股份有限公司,未经ASML控股股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680072463.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。