[发明专利]用于在确定能够借助该转数计求取的转数的情况下自识别错误状态的磁转数计有效
申请号: | 201680072575.1 | 申请日: | 2016-12-07 |
公开(公告)号: | CN108369108B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | M·迪格尔;P·丁勒;R·马泰斯;M·舍青格 | 申请(专利权)人: | 莱布尼茨光电技术研究所;霍斯特·西德勒两合公司 |
主分类号: | G01D3/02 | 分类号: | G01D3/02;G01P3/487;G01D5/14;G01D5/244;G01R33/09 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 确定 能够 借助 转数 求取 情况 识别 错误 状态 | ||
1.一种磁转数计,其用于在确定能够借助所述磁转数计可预给定地求取的由磁性旋转元件产生的转数n、或旋转的磁极转子的能够运动经过的磁极的数量n、或能够运动经过的线性的磁性标尺的能够运动经过的磁极的数量的情况下自识别错误状态,所述磁转数计包括传感器,所述传感器包括磁畴壁导轨,这些磁畴壁导轨由开放螺线或自身闭合的多圈环构成,所述开放螺线或自身闭合的多圈环由GMR层堆叠或具有局部存在的TMR层堆叠的软磁性层构成,并且180°磁畴壁能够引入到所述开放螺线或自身闭合的多圈环中,并且所述180°磁畴壁的存在与否能够借助设置在这些畴壁导轨上的接通部定位,其中,
畴壁和/或畴壁空隙的可预给定的一对一的磁化模型写入到畴壁导轨中,
所述接通部连同所属的、由其检测的畴壁导轨区段连接成独立的、但能够共同读取的惠斯通电桥、或半桥,其中,由所述惠斯通电桥、或半桥求取的电阻特性作为呈信号电平序列形式的信号电平以表格形式全部存储在第一存储器中,为了求取当前的转数或移动计数,对于每个允许的旋转i,其中,0≤i≤n,所述信号电平能够持续地与这些信号电平序列的存储在第二存储器中的呈表格形式的期望值模型进行比较,
设置有第三存储器,在其中存储有呈表格形式的错误期望值模型,所述错误期望值模型用于所写入的磁化模型中的所有可能的意外的变化以及由此引起的信号电平序列与存储在所述第二存储器中的正常信号电平序列的偏差,然而,所述错误期望值模型还能够单义地对应于转数或移动步进,
借助处理单元能够持续地进行在存储在第一存储器中的、所求取的信号电平序列与存储在第二存储器和第三存储器中的信号电平序列之间的比较,
已经在所述旋转元件的一整转或半转期间或在所述旋转磁极转子的、或所述运动经过的线性的磁性标尺的移动步进期间,能够作为一对一的旋转值或移动值或立即作为不能够修正的错误进行输出。
2.根据权利要求1所述的磁转数计,其特征在于,为了探测所述旋转元件的、或所述磁极转子的角度位置或所述线性的磁性标尺的线性移动,除了所述转数计以外还设置有另一角度或象限传感器,所述角度或象限传感器的信号预给定:第二存储器中的配属于所述象限、或角度或线性的磁性标尺区段的哪个子表格以及第三存储器中的配属于所述象限、或角度-或线性的磁性标尺区段的哪个子表格参与用于借助所述处理单元的比较。
3.根据权利要求1所述的磁转数计,其特征在于,所述畴壁导轨由多匝螺线构成,所述多匝螺线在两侧终止于两个尖末端或在尖部的位置处设置有一个或各一个畴壁发生器,其中,所定义的磁化模型施加到基本上菱形实施的螺线中,所述磁化模型具有在两个相邻的畴壁或畴壁空隙之间的预给定的距离,在这些畴壁导轨上如此设置有电接通部,使得这些畴壁导轨呈对角线相对置地由各一个gnd接通部和各一个Vcc接通部共同检测或在多路复用读取的情况下以Vcc接通部组和gnd接通部组检测,并且仅仅在一侧且在所提及的gnd接通部与Vcc接通部之间基本上居中地在每个单个的畴壁导轨区段上设置有独立的接通部,或在多路复用读取的情况下以接通部的组来设置,所述接通部的组作为惠斯通中间接通部使多匝接通。
4.根据权利要求1所述的磁转数计,其特征在于,这些畴壁导轨由多匝自身闭合的并且基本上菱形实施的螺线构成,至少两个磁畴壁如此引入到所述螺线中,使得所述至少两个磁畴壁通过用于产生、钉固或所定义地消除畴壁的机构被以彼此大于360°的所定义的距离间隔开并且彼此如此间隔开,其中,在这些畴壁导轨上如此设置有电接通部,使得这些畴壁导轨呈对角线相对置地由每匝的各一个gnd接通部和各一个Vcc接通部检测或在多路复用读取的情况下在每个环区段上由各一个共同的gnd接通部和各一个Vcc接通部和在所述接通部之间在一侧布置的中间接通部检测。
5.根据权利要求1或3所述的磁转数计,其特征在于,这些畴壁导轨由两个并排布置的多匝的、基本上菱形实施的、具有相同的匝旋转方向的部分螺线构成,其中,这些部分螺线中的每个相对置地由各一个共同的gnd接通部和Vcc接通部检测,并且在一侧在所提及的gnd接通部与Vcc接通部之间设置中间接通部,并且畴壁的所定义的磁化模型写入到畴壁导轨中,这些畴壁通过用于产生、钉固或所定义地消除畴壁的机构被以彼此大于360°的所定义的距离间隔开并且相邻的畴壁彼此如此间隔开。
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