[发明专利]消散素E1的全合成方法在审

专利信息
申请号: 201680072634.5 申请日: 2016-10-09
公开(公告)号: CN108368023A 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 普拉卡什·贾格塔 申请(专利权)人: 萨尔兹曼拉芙蕾丝投资有限公司
主分类号: C07C67/343 分类号: C07C67/343;C07C51/09;C07C259/06
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 以色列*** 国省代码: 以色列;IL
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摘要:
搜索关键词: 消散 全化学合成 全合成
【说明书】:

发明提供消散素E1(RvE1)的全化学合成方法。

技术领域

本发明提供消散素(Resolvin)E1(RvE1)的全化学合成的方法。

缩写:CAN,乙腈;BAIB,双乙酰氧基碘苯;CSA,樟脑磺酸;DCM,二氯甲烷;DIBAL/DIBAL-H,二异丁基氢化铝;DIPEA,N,N-二异丙基乙胺;DMAP,4-二甲氨基吡啶;DMF,二甲基甲酰胺;EA,乙酸乙酯;HMPA,六甲基磷酰胺;Im,咪唑;KHMDS,双(三甲基甲硅烷基)氨基钾(六甲基二硅氮烷钾);LDA,二异丙基氨基锂(lithium diisopropylamide);NaHMDS,双(三甲基甲硅烷基)氨基钠;PCC,氯铬酸吡啶鎓(pyridinium chlorochromate);PG,保护基团;p-Tosyl,对甲苯磺酰基;p-TSA,对甲苯磺酸;py,吡啶;rt,室温;RvE1,消散素E1;TBAF,四正丁基氟化铵;TBDMS,叔丁基二甲基甲硅烷基;TBDMSCl,叔丁基二甲基氯硅烷;TBDPS,叔丁基二苯基甲硅烷基;TBDPSCl,叔丁基二苯基氯硅烷;TBS,叔丁基二甲基甲硅烷基;TBSCl,叔丁基二甲基氯硅烷;TEA,三乙胺;TEMPO,2,2,6,6-四甲基哌啶-1-基)氧基;THF,四氢呋喃;TMS,三甲基甲硅烷基。

背景技术

消散素E1(RvE1;5(S),12(R),18(R)-三羟基-6Z,8E,10E,14Z,16Z-二十碳-五烯酸)为ω-3脂肪酸二十碳五烯酸(EPA)的氧化代谢物。RvE1是内源性脂质介质,并且在愈合阶段期间在局部炎症中被识别。RvE1在包括腹膜炎和视网膜病的多种动物模型中减少炎症,并且阻断人类嗜中性粒细胞跨内皮细胞迁移。

由于其在天然来源中的有限的可获得性,设计RvE1的合成方法以评价其药物性质和作为抗炎症的潜力是非常重要的。此类方法也能够设计RvE1类似物。

最近的出版物(Allard等,Tetrahedron Letters 2011,52,2623-2626;Ogawa和Kobayashi,Tetrahedron Letters,2009,50(44),6079-6082)描述了RvE1的全合成;然而,这些方法不适用于医药用途的商业制造。

发明内容

一方面,本发明提供用于制备RvE1的各种合成途径。

本文公开的合成路线,包括涉及的所有化合物的全部化学结构,示于以下附录方案1-19中,其中涉及的各种起始化合物、中间体和产物在本文中由阿拉伯数字1-48、51-56、59、61、62、64、65和68-73表示。RvE1(以其钠盐的形式)在本文中表示为化合物30。

合成的化合物/中间体中的一些是已知的;然而,其中一些是新的。另一方面,本发明因此提供用作本文公开的合成中的中间体的新化合物7、8、10、13、14、15、19、20、21、23、28、29、38、39、40、41、42、47、54、59、61、65、68、69、70、71、72和73。

具体实施方式

一方面,本发明提供RvE1(化合物30)的全化学合成的方法,即步骤。

一个具体的此方面,本发明提供由化合物28开始合成RvE1的方法,所述方法如方案1所示进行并且包括:(i)选择性除去化合物28的C12位和C18位的TBDPS保护基团,并且将6-7位的三键还原成烯键,由此得到化合物29;并且(ii)化合物29的C5位的被保护的羟基的脱乙酰化,以获得RvE1。在具体的非限制性实施方案中,化合物28的C12位和C18位的TBDPS保护基团通过在THF中用TBAF处理而除去;化合物28的6-7位的三键通过用活化的Zn处理而还原;并且化合物29的C5位的保护的羟基通过用NaOH处理而脱乙酰化。

用于RvE1的合成的化合物28可以,例如如方案2所示,通过化合物17与化合物22的反应,或通过化合物16与化合物23的反应来获得。

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