[发明专利]感测层构造

权利要求书

1.一种用于加热微热板上的气体感测材料构造的方法，所述微热板包括：

介电膜, 所述介电膜在包括蚀刻部分的半导体基底上形成；以及

所述气体感测材料构造设置在所述介电膜的一侧上；

所述方法包括：

使用位于所述基底上的红外加热器，选择性地加热所述气体感测材料构造，

使用设置在所述基底下方的冷却板并利用位于所述基底和所述冷却板之间的绝热介质，可控地冷却所述半导体基底，使得气体感测结构从所述气体感测材料构造形成在所述介电膜的所述一侧上；

其中，所述绝热介质在所述基底的非蚀刻部分下方延伸。

2.一种用于由微热板上的气体感测材料构造形成的气体感测结构的方法，所述微热板包括：

介电膜, 所述介电膜在包括蚀刻部分的半导体基底上形成；

所述方法包括：

在所述介电膜的一侧上生长或沉积所述气体感测材料构造；

使用位于基底上的红外加热器，选择性地加热所述气体感测材料构造，

使用设置在所述基底下方的冷却板并利用位于所述基底和所述冷却板之间的绝热介质，可控地冷却所述半导体基底，使得气体感测结构从所述气体感测材料构造形成在所述介电膜的所述一侧上；

其中，所述绝热介质在所述基底的非蚀刻部分下方延伸。

3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括加热所述介电膜，使得第一温度被施加到所述气体感测材料构造，以形成所述气体感测结构，并且在所述介电膜不形成任何感测结构的区域中产生低于所述第一温度的第二温度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述介电膜产生所述第二温度的区域由所述半导体基底支撑。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，利用所述绝热介质和所述冷却板，由选择性加热产生的热大体上通过所述半导体基底耗散。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一温度设定为600℃，并且所述第二温度为或小于400℃。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述绝热介质包括空气或气体间隙。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述绝热介质包括具有低导热率的板，其中，所述板选自包括玻璃、陶瓷和石英的组。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述绝热介质和所述半导体基底之间提供导热材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述导热材料具有比所述绝热介质更高的导热率。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述冷却板与所述半导体基底之间提供支撑结构。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述支撑结构包括选自玻璃、陶瓷和石英中的任何一者的绝热材料。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述支撑结构包括销或柱。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述支撑结构设置在晶片的整个边缘下方。

15.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述冷却板的温度设定为300℃。

16.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述冷却板通过使用水冷却，并且其中，所述水的温度基于所述冷却板和所述基底之间的热耦合度。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述冷却板与所述基底之间的所述热耦合度由所述绝热介质的有效导热率控制。