[发明专利]半导体基板、以及外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201680073555.6 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108368641B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 后藤健;熊谷义直;村上尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;国立大学法人东京农工大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 以及 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体基板，被用作通过HVPE法进行外延晶体生长用的基底基板，其特征在于，
包括β-Ga2O3系单晶，以与β-Ga2O3系单晶的[100]轴平行的面为主面，
上述半导体基板的平均位错密度为1×104/cm2以下，
以前往a轴方向的右旋的旋转方向为正的角度的、上述主面与β-Ga2O3系单晶的(001)面所成的角度θ为54.3°以上且65.7°以下或者-125.7°以上且-114.3°以下。
2.一种半导体基板，被用作通过HVPE法进行外延晶体生长用的基底基板，其特征在于，
包括β-Ga2O3系单晶，以与β-Ga2O3系单晶的[100]轴平行的面为主面，
上述半导体基板的平均位错密度为1×103/cm2以下，
以前往a轴方向的右旋的旋转方向为正的角度的、上述主面与β-Ga2O3系单晶的(001)面所成的角度θ为41.6°以上且78.4°以下或者-138.4°以上且-101.6°以下。
3.一种半导体基板，被用作通过HVPE法进行外延晶体生长用的基底基板，其特征在于，
包括β-Ga2O3系单晶，以与β-Ga2O3系单晶的[100]轴平行的面为主面，
以前往a轴方向的右旋的旋转方向为正的角度的、上述主面与β-Ga2O3系单晶的(001)面所成的角度θ为0.3°以上且15°以下或者-15°以上且-0.3°以下。
4.一种外延晶片，具有：
权利要求1～3中的任意一项所述的上述半导体基板；以及
外延层，其通过利用HVPE法进行外延晶体生长而形成在上述半导体基板的上述主面上，包括β-Ga2O3系单晶。
5.一种外延晶片的制造方法，包含如下工序：
在包括β-Ga2O3系单晶并以与β-Ga2O3系单晶的[100]轴平行的面为主面的半导体基板上，使包括β-Ga2O3系单晶的外延层通过HVPE法进行外延生长，
上述半导体基板的平均位错密度为1×104/cm2以下，
以前往a轴方向的右旋的旋转方向为正的角度的、上述主面与β-Ga2O3系单晶的(001)面所成的角度θ为54.3°以上且65.7°以下或者-125.7°以上且-114.3°以下。
6.一种外延晶片的制造方法，包含如下工序：
在包括β-Ga2O3系单晶并以与β-Ga2O3系单晶的[100]轴平行的面为主面的半导体基板上，使包括β-Ga2O3系单晶的外延层通过HVPE法进行外延生长，
上述半导体基板的平均位错密度为1×103/cm2以下，
以前往a轴方向的右旋的旋转方向为正的角度的、上述主面与β-Ga2O3系单晶的(001)面所成的角度θ为41.6°以上且78.4°以下或者-138.4°以上且-101.6°以下。
7.一种外延晶片的制造方法，包含如下工序：
在包括β-Ga2O3系单晶并以与β-Ga2O3系单晶的[100]轴平行的面为主面的半导体基板上，使包括β-Ga2O3系单晶的外延层通过HVPE法进行外延生长，
上述外延层的生长率为2.5μm/h以上，
以前往a轴方向的右旋的旋转方向为正的角度的、上述主面与β-Ga2O3系单晶的(001)面所成的角度θ为0.3°以上且15°以下或者-15°以上且-0.3°以下。
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