[发明专利]电荷转移盐、电子器件以及形成它们的方法

权利要求书

1.一种电荷转移盐，其由包含式(I)重复单元的共轭聚合物和式(V)的n-掺杂剂形成：

其中BG是重复单元的主链基团；R¹是包含至少一个阳离子或阴离子基团的离子取代基；n是至少1；R²是非离子取代基；并且m是0或正整数；该共轭聚合物进一步包含平衡所述阳离子或阴离子基团的电荷的抗衡离子；

每个R⁷独立地为C_1-20烃基；

R⁸是H；

每个R⁹独立地为C_1-20烃基；

k是0或正整数；

l是0或正整数，并且

k和l中的至少一个是至少1，并且R¹⁰和R¹¹是离子取代基；

其中所述共轭聚合物:n-掺杂剂的重量比在99:1-30:70的范围内。

2.根据权利要求1所述的电荷转移盐，其中BG是Ar¹，其中Ar¹是亚芳基或杂亚芳基。

3.根据权利要求2所述的电荷转移盐，其中Ar¹是C_6-20亚芳基。

4.根据权利要求3所述的电荷转移盐，其中Ar¹是芴。

5.根据权利要求4所述的电荷转移盐，其中所述式(I)的单元选自式(Ia)和(Ib)：

其中m1在每次出现时独立地为0或正整数。

6.根据权利要求1或2所述的电荷转移盐，其中R¹是式(II)的基团：

-(Sp¹)p-(A)q

(II)

其中Sp¹是间隔基团；A是阴离子或阳离子基团；p是0或1；如果p是0，则q是1；并且如果p是1，则q为至少1。

7.根据权利要求6所述的电荷转移盐，其中p是1并且Sp¹选自苯基和C_1-20亚烷基，该苯基可以是未取代的或取代有一个或多个取代基，其中该亚烷基的一个或多个不相邻的C原子可以被O、S或C＝O替换。

8.根据权利要求1或2所述的电荷转移盐，其中所述共轭聚合物是包含式(I)重复单元以及一种或多种共聚重复单元的共聚物。

9.根据权利要求8所述的电荷转移盐，其中所述聚合物包含式(III)的共聚重复单元：

其中Ar³是C_6-20亚芳基；R⁴是氰基；a是至少1；R¹⁷是取代基；并且b是0或正整数。

10.根据权利要求8所述的电荷转移盐，其中所述式(I)的重复单元是所述聚合物的重复单元的0.1-90摩尔％。

11.形成根据权利要求1-10任一项所述的电荷转移盐的方法，所述方法包括步骤：通过热处理或照射激活包括所述共轭聚合物和n-掺杂剂的组合物以引起n-掺杂剂掺杂所述共轭聚合物。

12.一种有机电子器件，其包括含根据权利要求1-10任一项所述的电荷转移盐的层。

13.根据权利要求12所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件是有机发光器件，该有机发光器件包括阳极、阴极以及介于所述阳极和阴极之间的发光层，并且其中包含电荷转移盐的所述层是介于发光层和阴极之间的电子注入层。

14.根据权利要求13所述的有机电子器件，其中所述电子注入层与发光层接触。