[发明专利]成像装置和电子设备有效
申请号: | 201680073910.X | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN108369953B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 大竹悠介;若野寿史 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N9/07;H01L27/14;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 电子设备 | ||
本技术涉及能够适当地执行瞳孔校正的成像装置和电子设备。所述成像装置包括:光电转换膜,其被构造成吸收预定颜色成分的光以产生信号电荷;第一下部电极,其被构造成形成在所述光电转换膜的下方;第二下部电极,其被构造成与第一下部电极连接;通孔,其被构造成连接第一下部电极和第二下部电极;和光电二极管,其被构造成形成在第二下部电极的下方并且产生对应于入射光量的信号电荷;其中在视角中心处的所述光电二极管的中心与所述通孔的中心之间的第一距离不同于在视角边缘处的所述光电二极管的中心与所述通孔的中心之间的第二距离。本技术可以适用于成像装置。
技术领域
本技术涉及成像装置和电子设备。更具体地,本技术涉及能够通过有效的瞳孔校正实现更高感度和更高分辨率的成像装置和电子设备。
背景技术
诸如CCD图像传感器和CMOS图像传感器等成像元件具有在光电转换像素(光电二极管)阵列上以镶嵌方式配置的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的相应滤色器。在这种结构中,从彩色成像元件的各个像素以反映它们的滤色器的方式输出色信号,然后进行信号处理以产生彩色图像。
然而,在成像元件以镶嵌方式配置其原色(R,G和B)滤色器的情况下,三分之二的入射光被相应的滤色器吸收。这导致光利用效率差,从而导致感度降低。此外,分辨率很差,因为从各像素仅获得单色信号。特别地,伪色会变得明显。
专利文献1和2提出了一种成像元件,其中三层光电转换膜彼此堆叠。该成像元件具有例如以下的像素结构,其中彼此堆叠的三层光电转换膜经过光入射面依次产生对应于蓝色(B)、绿色(G)和红色(R)的信号电荷(电子、正空穴)。各像素配备有信号读出电路,独立地读出由各光电转换膜光产生的信号电荷。在这种成像元件的情况下,因为几乎所有的入射光都被光电转换,所以可见光的利用效率非常高。文献提出,由于从每个像素获取R,G和B的三种色信号的结构,以高感度获得了高分辨率的图像,并且很少有明显的伪色。
[引用文献列表]
[专利文献]
[专利文献1]JP-T-2002-502120
[专利文献2]JP 2002-83946A
[专利文献3]JP 2006-269923A
发明内容
[技术问题]
如专利文献1和专利文献2所提出的,其中三层光电转换膜彼此堆叠的成像元件(堆叠型传感器),在硅基板内的光接收部和光电转换膜之间存在高度差。因此,当光在视角周围倾斜入射的情况下,光电转换膜的感度有可能变差。
专利文献3提出,位于光电转换膜下方的电极以从硅基板的光接收部偏移的方式形成,以便减小视角周围的倾斜入射光的感度下降。然而,在瞳孔校正量大的情况下,特别是光电转换膜的下部电极有可能从硅基板的单位像素内突出。在这种情况下,利用配置在硅基板的单位像素内的光电转换膜的读出电路,光电转换膜的电位不会被传递到硅的单位像素内。这样限制了瞳孔校正量。
此外,为了实现更高的图像质量,需要堆叠型传感器以执行适当的瞳孔校正。
鉴于上述情况设计了本技术。本技术的目的是适当地执行瞳孔校正并改善图像质量。
[解决问题的手段]
根据本技术的一个方面,提供了一种成像装置,包括:光电转换膜,其被构造成吸收预定颜色成分的光以产生信号电荷;第一下部电极,其被构造成形成在所述光电转换膜的下方;第二下部电极,其被构造成与第一下部电极连接;通孔,其被构造成连接第一下部电极和第二下部电极;和光电二极管,其被构造成形成在第二下部电极的下方并且产生对应于入射光量的信号电荷;其中在视角中心处的所述光电二极管的中心与所述通孔的中心之间的第一距离不同于在视角边缘处的所述光电二极管的中心与所述通孔的中心之间的第二距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的