[发明专利]在非对称的腔室环境中的均匀晶片温度实现

说明书

本公开总体涉及一种用于工艺腔室的辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件改善基板温度均匀性。所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的狭缝阀门与设置在所述工艺腔室内的基板支撑件之间。在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的加热器下。此外，所述辐射屏蔽件可以阻挡从所述工艺腔室供应的辐射和/或热量，并且在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以吸收和/或反射辐射，由此提供改善的温度均匀性并且改善所述基板的平面轮廓。

背景

技术领域

本文公开的实施方式总体涉及半导体处理，并且更特别地涉及用于在工艺腔室中提供均匀热辐射损耗的设备。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)用于在基板(诸如半导体晶片或透明基板)上沉积薄膜。PECVD一般通过将前驱物气体或气体混合物引入容纳有基板的真空腔室中而完成。前驱物气体或气体混合物典型地被向下引导而穿过位于腔室顶部附近的分配板。通过将功率(诸如射频(RF)功率)从耦合到电极的一个或多个电源施加到腔室中的该电极，腔室中的前驱物气体或气体混合物被激励(例如，激发)成等离子体。被激发的气体或气体混合物反应以在基板的表面上形成材料层。该层可以是(例如)钝化层、栅极绝缘体、缓冲层和/或蚀刻停止层。

PECVD处理进一步允许在较低温度下沉积，在半导体的制造中，这通常很关键。较低温度还允许已被用于纳米颗粒表面官能化的有机涂层(诸如等离子体聚合物)的沉积。与工艺腔室相关联的温度可能是非对称的，这主要是由于存在用来传送基板进出工艺腔室的狭缝阀开口而造成的。非对称性导致来自加热器和基板的不均匀辐射热损耗，并进一步在基板内形成更高的温度变化。促进更均匀辐射热损耗可以改善基板上的膜均匀性。

因此，本领域中需要的是用于改善基板温度均匀性的辐射屏蔽件。

发明内容

本公开总体涉及一种用于处理腔室的辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件改善基板温度均匀性。所述辐射屏蔽件可以设置在所述处理腔室的狭缝阀与设置在所述处理腔室内的基板支撑件之间。在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以设置在所述处理腔室的加热器下。此外，所述辐射屏蔽件可以阻挡从所述处理腔室供应的辐射和/或热量，并且在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以吸收和/或反射辐射，由此提供改善的温度均匀性并且改善所述基板的平面轮廓。

在一个实施方式中，公开了一种用于处理腔室的辐射屏蔽件。所述辐射屏蔽件包括：盘形辐射板，所述盘形辐射板具有穿过其中设置的多个孔洞；和辐射杆，所述辐射杆耦接到所述辐射板。

在另一实施方式中，公开了一种处理腔室。所述处理腔室包括：基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理腔室内的处理容积中；基板支撑杆，所述基板支撑杆耦接到所述基板支撑件；狭缝阀，所述狭缝阀设置在所述处理腔室的壁内；和升降系统，所述升降系统耦接到所述基板支撑杆的基部。所述处理腔室进一步包括辐射屏蔽件。所述辐射屏蔽件包括辐射板和辐射杆。所述辐射板设置在所述狭缝阀与所述基板支撑件之间。所述辐射杆耦接到所述辐射板，并且设置在所述升降系统与所述辐射板之间。

在又一实施方式中，公开了一种处理腔室。所述处理腔室包括：基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理腔室的处理容积中；基板支撑杆，所述基板支撑杆耦接到所述基板支撑件；狭缝阀，所述狭缝阀设置在所述处理腔室的壁内；和升降系统，所述升降系统耦接到所述基板支撑杆的基部。所述处理腔室进一步包括辐射屏蔽件和等离子体源，所述等离子体源耦接到所述处理腔室。所述辐射源包括辐射板和辐射杆。所述辐射板设置在所述狭缝阀与所述基板支撑件之间。所述辐射杆耦接到所述辐射板，并且设置在所述升降系统与所述辐射板之间。

附图说明