[发明专利]用次氯酸钙活化CdTe薄膜太阳能电池的CdTe层的方法

权利要求书

1.用于活化半成品薄膜CdTe太阳能电池的CdTe层(4)的方法，其特征在于，将次氯酸钙施加到所述CdTe层(4)，并且随后对所述半成品薄膜CdTe太阳能电池进行热处理；所述次氯酸钙以5％至20％存在于溶液中，所述热处理在250℃至450℃的范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述次氯酸钙存在于水溶液(5 )中。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述次氯酸钙存在于甲醇溶液中。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述次氯酸钙富含水。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述次氯酸钙以15％存在于溶液中。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述水溶液(5 )进一步包含氯化镉。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述水溶液中次氯酸钙与氯化镉的比率在1：100至1:10的范围内。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，借助于辊涂覆或通过喷涂含有所述次氯酸钙的溶液，或借助于气溶胶涂覆，或借助于将所述半成品薄膜CdTe太阳能电池浸入含有所述次氯酸钙的溶液中而将所述次氯酸钙施加到CdTe层(4)上。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理在300℃至430℃的范围内的温度下进行。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理的持续时间在15分钟至45分钟的范围内。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述热处理的持续时间在20分钟至30分钟的范围内。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在热处理步骤之前，所述半成品CdTe太阳能电池在温度低于或等于170℃的第一时间段保持2分钟至10分钟，在热处理步骤中，所述半成品CdTe太阳能电池在250℃至450℃的温度范围的第二时间段保持5分钟至45分钟。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括随后执行所述热处理的清洁步骤，其中所述清洁步骤包括用酸、用络合剂或这些化合物中的一些的组合处理所述CdTe层(4)的表面。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述酸是HCl或H ₃PO₄，或者所述络合剂是乙二胺。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括机械抛光所述CdTe层(4)的表面的步骤，其中所述机械抛光的步骤在所述热处理之后执行。