[发明专利]近红外线屏蔽超微粒子分散体、日照屏蔽用中间膜、红外线屏蔽夹层结构体及近红外线屏蔽超微粒子分散体的制造方法有效
申请号: | 201680074497.9 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN108779381B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 常松裕史;长南武 | 申请(专利权)人: | 住友金属矿山株式会社 |
主分类号: | C09K3/00 | 分类号: | C09K3/00;C03C17/32;C03C27/12;C08K3/22;C08L101/00;C09D5/32;C09D201/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外线 屏蔽 微粒子 散体 日照 中间 夹层 结构 制造 方法 | ||
1.一种近红外线屏蔽超微粒子分散体,其为具有近红外线屏蔽特性的超微粒子分散于固体介质而得到的近红外线屏蔽超微粒子分散体,其中,
所述超微粒子为复合钨氧化物超微粒子,
所述复合钨氧化物超微粒子是通式MxWyOz表示的复合钨氧化物超微粒子,M为选自H、He、碱金属、碱土金属、稀土元素、Mg、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、B、F、P、S、Se、Br、Te、Ti、Nb、V、Mo、Ta、Re、Be、Hf、Os、Bi、I、Yb中的1种以上的元素,W为钨,O为氧,且0.001≤x/y≤1,2.0z/y≤3.0,
所述复合钨氧化物超微粒子的微晶粒径为16.1nm以上29.0nm以下,
在将NIST制造的硅粉末标准样品640c的(220)面的XRD峰强度的值设为1时,所述复合钨氧化物超微粒子的XRD峰顶强度的比值为0.13以上。
2.根据权利要求1所述的近红外线屏蔽超微粒子分散体,其中,所述复合钨氧化物超微粒子含有六方晶的晶体结构。
3.根据权利要求1或2所述的近红外线屏蔽超微粒子分散体,其中,所述复合钨氧化物超微粒子的挥发成分含有率为2.5质量%以下。
4.根据权利要求1或2所述的近红外线屏蔽超微粒子分散体,其中,所述固体介质为介质树脂。
5.根据权利要求4所述的近红外线屏蔽超微粒子分散体,其中,所述介质树脂为选自以下任一者的介质树脂:
选自聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯树脂、氯乙烯树脂、烯烃树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、氟树脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、聚乙烯醇缩醛树脂这一树脂组的1种树脂;或
选自所述树脂组中的2种以上树脂的混合物;或
选自所述树脂组中的2种以上树脂的共聚物。
6.根据权利要求4所述的近红外线屏蔽超微粒子分散体,其中,所述介质树脂为UV固化性树脂粘合剂。
7.根据权利要求1或2所述的近红外线屏蔽超微粒子分散体,其含有0.001质量%以上80质量%以下的所述复合钨氧化物超微粒子。
8.根据权利要求1或2所述的近红外线屏蔽超微粒子分散体,其中,所述近红外线屏蔽超微粒子分散体形成为片状、板状或膜状中的任意1种。
9.根据权利要求1或2所述的近红外线屏蔽超微粒子分散体,其以厚度为1μm以上且10μm以下的涂布层的形式设置于透明基材上。
10.根据权利要求9所述的近红外线屏蔽超微粒子分散体,其中,所述透明基材为聚酯膜。
11.根据权利要求9所述的近红外线屏蔽超微粒子分散体,其中,所述透明基材为玻璃。
12.一种日照屏蔽用中间膜,其是在红外线屏蔽夹层结构体中构成夹入于2片以上的透明基材的中间层的日照屏蔽用中间膜,其使用了权利要求1~9中任一项所述的近红外线屏蔽超微粒子分散体。
13.一种红外线屏蔽夹层结构体,其具备2片以上的透明基材以及夹入于该2片以上的透明基材中的中间层,其中,
所述中间层由1层以上的中间膜构成,
所述中间膜的至少1层为权利要求12所述的日照屏蔽用中间膜,
所述透明基材为选自板玻璃、塑料、含有具有日照屏蔽功能的微粒的塑料中的任一者。
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