[发明专利]低漏泄电阻式随机存取存储器单元及其制造工艺在审
| 申请号： | 201680074527.6 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108475726A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | J·L·麦科勒姆;F·扎维;F·K·霍利 | 申请（专利权）人： | 美高森美SOC公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏;钱孟清 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 势垒层 固体电解质层 隧穿电介质层 第一金属层 离子源层 电阻式随机存取存储器 随机存取存储器单元 第二金属层 漏泄电阻 制造工艺 集成电路 | ||
1.一种电阻式随机存取存储器器件，所述电阻式随机存取存储器器件在第一金属层与第二金属层之间的集成电路中形成并且包括：
被布置在所述第一金属层之上的第一势垒层；
被布置在所述第一势垒层之上的隧穿电介质层；
被布置在所述隧穿电介质层之上的固体电解质层；
被布置在所述固体电解质层之上的离子源层；以及
被布置在所述离子源层之上的第二势垒层。
2.一种电阻式随机存取存储器器件，所述电阻式随机存取存储器器件在集成电路中形成并且包括：
第一金属层；
被布置在所述第一金属层之上的第一势垒层；
被布置在所述第一势垒层之上的隧穿电介质层；
被布置在所述隧穿电介质层之上的固体电解质层；
被布置在所述固体电解质层之上的离子源层；
被布置在所述离子源层之上的第二势垒层；以及
被布置在所述第二势垒层之上的第二金属层。
3.一种电阻式随机存取存储器器件，所述电阻式随机存取存储器器件在第一金属层与第二金属层之间的集成电路中形成并且包括：
被布置在所述第一金属层之上的第一势垒层；
被布置在所述第一势垒层之上的固体电解质层；
被布置在所述固体电解质层之上的电介质层；
被布置在所述电介质层之上的离子源层；以及
被布置在所述离子源层之上并在所述第二金属层下方的第二势垒层。
4.一种电阻式随机存取存储器器件，所述电阻式随机存取存储器器件在第一金属层与第二金属层之间的集成电路中形成并且包括：
被布置在所述第一金属层之上的第一势垒层；
被布置在所述第一势垒层之上的隧穿电介质层；
被布置在所述隧穿电介质层之上的固体电解质层；
被布置在所述固体电解质层之上的电介质层；
被布置在所述电介质层之上的离子源层；以及
被布置在所述离子源层之上并在所述第二金属层下方的第二势垒层。
5.一种用于在第一金属层与第二金属层之间的集成电路中形成电阻式随机存取存储器器件的方法，包括：
形成被布置在所述第一金属层之上的第一势垒层；
形成被布置在所述第一势垒层之上的隧穿电介质层；
形成被布置在所述隧穿电介质层之上的固体电解质层；
形成被布置在所述固体电解质层之上的离子源层；以及
形成被布置在所述离子源层之上的第二势垒层。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在形成所述离子源层之前在所述固体电解质层之上形成电介质层。
7.一种用于在第一金属层与第二金属层之间的集成电路中形成电阻式随机存取存储器器件的方法，包括：
形成被布置在所述第一金属层之上的第一势垒层；
形成被布置在所述第一势垒层之上的隧穿电介质层；
形成被布置在所述隧穿电介质层之上的固体电解质层；
形成被布置在所述固体电解质层之上的离子源层；
形成被布置在所述离子源层之上的第二势垒层；以及
形成被布置在所述第二势垒层之上的第二金属层。
8.一种用于在第一金属层与第二金属层之间的集成电路中形成电阻式随机存取存储器器件的方法，包括：
形成被布置在所述第一金属层之上的第一势垒层；
形成被布置在所述第一势垒层之上的固体电解质层；
形成被布置在所述固体电解质层之上的电介质层；
形成被布置在所述电介质层之上的离子源层；以及
形成被布置在所述离子源层之上并在所述第二金属层下方的第二势垒层。
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