[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

金属基座板；

绝缘层，其配置于所述金属基座板的一个主表面之上，该绝缘层包含树脂材料；

引线框，其配置于所述绝缘层的一个主表面之上；

半导体元件，其配置于所述引线框的一个主表面之上；以及

封装树脂，其以将所述金属基座板的与所述一个主表面相反侧的另一个主表面露出的方式对所述金属基座板、所述绝缘层、所述引线框以及所述半导体元件进行封装，

在所述绝缘层中填充有大于或等于20体积％而小于或等于75体积％的无机粉末填料，

在所述绝缘层内，作为所述无机粉末填料，包含最大尺寸小于或等于20μm的第1填料和由多个所述第1填料凝聚而成的多个第2填料，

所述绝缘层内的所述绝缘层的所述一个主表面侧的表层部处的所述第1填料的填充比例小于所述绝缘层内的除了所述表层部以外的区域的所述第1填料的填充比例，

在所述绝缘层的所述一个主表面，在与所述封装树脂接触的部分，所述第2填料的表面从所述树脂材料的表面向上方凸起，在与所述引线框接触的部分，多个所述第2填料之间的间隙被所述树脂材料填充。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述金属基座板的所述另一个主表面之上设置有形成第1凹凸部的鳍片。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

还具有控制基板，该控制基板以沿所述引线框的所述一个主表面的方式扩展，配置为与所述引线框相互隔开间隔，

在所述控制基板的一个主表面之上安装有电气部件。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在所述绝缘层的所述一个主表面中的与所述封装树脂接触的部分设置有第2凹凸部，所述第2凹凸部的表面粗糙度大于或等于10μm。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第2凹凸部所包含的凸部处的所述绝缘层的厚度大于被所述金属基座板与所述引线框夹着的区域的所述绝缘层的厚度。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述无机粉末填料至少包含氮化硼。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述金属基座板的厚度大于或等于1mm。

8.一种半导体装置的制造方法，其具有在金属基座板的一个主表面之上形成绝缘层的工序，该绝缘层以大于或等于20体积％而小于或等于75体积％的比例包含无机粉末填料，且该绝缘层包含树脂材料，所述无机粉末填料包含最大尺寸小于或等于20μm的第1填料和由多个所述第1填料凝聚而成的多个第2填料，

该半导体装置的制造方法还具有下述工序：

将所述绝缘层的在与一个主表面相邻的区域配置的所述第1填料去除的工序，该一个主表面是所述绝缘层的与所述金属基座板接触侧的相反侧的主表面；

在将所述第1填料去除的工序之后，在所述绝缘层的一个主表面之上设置引线框的工序；

在所述引线框的一个主表面之上设置半导体元件的工序；

以将所述金属基座板的与所述一个主表面相对的另一个主表面露出的方式将所述金属基座板、所述绝缘层、所述引线框以及所述半导体元件设置在模具内的工序；以及

向所述模具内供给封装树脂，从而以下述方式将所述金属基座板、所述绝缘层、所述引线框以及所述半导体元件通过传递模塑法进行封装的工序，即，在所述绝缘层的所述一个主表面，在与所述封装树脂接触的部分，所述第2填料的表面从所述树脂材料的表面向上方凸起，在与所述引线框接触的部分，多个所述第2填料之间的间隙被所述树脂材料填充。