[发明专利]光接收元件、光接收元件的制造方法、成像元件和电子设备

权利要求书

1.一种光接收元件，包括：

光电转换层，所述光电转换层包含第一化合物半导体，并且吸收红外区域中的波长以产生电荷；

多个接触层，所述多个接触层包含第二化合物半导体，并且在所述光电转换层上彼此间隙地间隔设置；和

覆盖层，所述覆盖层形成为覆盖所述光电转换层的前表面中的对应于所述间隙的部分和所述各接触层的侧表面，并且包含IV族半导体，

其中，所述光电转换层和所述接触层依次设置在基板上。

2.根据权利要求1所述的光接收元件，其中所述覆盖层包含硅(Si)或锗(Ge)。

3.根据权利要求1所述的光接收元件，其中所述覆盖层包含硅锗(SiGe)。

4.根据权利要求1所述的光接收元件，其中所述覆盖层包含所述IV族半导体和用作针对所述IV族半导体的n型掺杂剂的元素。

5.根据权利要求1所述的光接收元件，其中所述覆盖层包含所述IV族半导体和用作针对所述光电转换层的n型掺杂剂的元素。

6.根据权利要求1所述的光接收元件，其中在所述光电转换层和所述接触层中的邻近所述覆盖层的选择区域中包括所述覆盖层中包含的元素在其中扩散的扩散区域。

7.根据权利要求6所述的光接收元件，还包括与所述光电转换层的所述扩散区域电气连接的接触电极。

8.根据权利要求1所述的光接收元件，还包括在所述覆盖层上的第一绝缘膜。

9.根据权利要求8所述的光接收元件，其中第一绝缘膜包含硅(Si)、氮(N)、铝(Al)和铪(Hf)中的任一种。

10.根据权利要求8所述的光接收元件，其中

所述覆盖层包含锗，和

在所述覆盖层上其间经由包含氧化锗(GeO₂)的绝缘膜而形成第一绝缘膜。

11.根据权利要求8所述的光接收元件，还包括在第一绝缘膜上的包含正的固定电荷的第二绝缘膜。

12.根据权利要求1所述的光接收元件，其中第一和第二化合物半导体是III-V族半导体。

13.根据权利要求1所述的光接收元件，其中所述覆盖层的厚度为0.25nm以上和100nm以下。

14.根据权利要求1所述的光接收元件，其中所述光电转换层是掺杂密度为1.0×10¹⁸cm^-3以下的n型或掺杂密度为1.0×10¹⁶cm^-3以下的p型。

15.根据权利要求1所述的光接收元件，其中所述光接收元件还包括：

电气连接到所述接触层的第一电极，和

电气连接到所述基板的第二电极。

16.一种光接收元件的制造方法，所述方法包括：

形成光电转换层，所述光电转换层包含第一化合物半导体，并且吸收红外区域中的波长以产生电荷；

形成多个接触层，所述多个接触层包含第二化合物半导体，并且在所述光电转换层上彼此间隙地间隔设置；和

形成包含IV族半导体的覆盖层，所述覆盖层覆盖所述光电转换层的前表面中的对应于所述间隙的部分和所述各接触层的侧表面。

17.根据权利要求16所述的光接收元件的制造方法，其中通过蚀刻形成所述多个接触层之间的所述间隙。