[发明专利]层叠体有效
| 申请号： | 201680074847.1 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108369964B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 川岛绘美;关谷隆司;霍间勇辉;上冈义弘;笘井重和;竹岛基浩 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/28;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王铭浩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层叠 | ||
1.一种层叠体，其中，
依次具有基板、欧姆电极层、金属氧化物半导体层、肖特基电极层和缓冲电极层，
在所述肖特基电极层与所述缓冲电极层之间具有还原抑制层，
所述还原抑制层是防止由于所述缓冲电极层与所述肖特基电极层的相互作用而使所述肖特基电极层被还原的层。
2.如权利要求1所述的层叠体，其中，所述还原抑制层包含选自由Pd、Mo、Pt、Ir、Ru、Au、Ni、W、Cr、Re、Te、Tc、Mn、Os、Fe、Rh和Co组成的组中的1种以上的金属或它们的合金。
3.如权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述肖特基电极层包含功函数为4.4eV以上的1种以上的金属元素的氧化物。
4.如权利要求3所述的层叠体，其中，所述功函数为4.6eV以上。
5.如权利要求3所述的层叠体，其中，所述功函数为6.5eV以下。
6.如权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述肖特基电极层包含选自由Pd、Mo、Pt、Ir、Ru、Ni、W、Cr、Re、Te、Tc、Mn、Os、Fe、Rh和Co组成的组中的1种以上的金属的氧化物。
7.如权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述肖特基电极层为Pd氧化物、Pt氧化物、Ir氧化物或Ru氧化物。
8.如权利要求6所述的层叠体，其中，所述还原抑制层使用构成所述肖特基电极层的金属氧化物的金属。
9.如权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述基板为导电性基板。
10.如权利要求9所述的层叠体，其中，所述导电性基板为硅基板或金属基板。
11.如权利要求10所述的层叠体，其中，所述金属基板的金属为Cu、Al、Au、Cr、Fe、Ni、W或它们的合金。
12.如权利要求10所述的层叠体，其中，所述金属基板的金属为Cu、Al或它们的合金。
13.如权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述基板为绝缘性基板。
14.如权利要求13所述的层叠体，其中，所述绝缘性基板为无碱玻璃基板、陶瓷基板或塑料基板。
15.如权利要求13所述的层叠体，其中，所述绝缘性基板为介电性基板。
16.如权利要求15所述的层叠体，其中，所述介电性基板为铌酸锂基板、钽酸锂基板、氧化锌基板、水晶基板或蓝宝石基板。
17.如权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述基板为在金属基板的表面设置有绝缘膜或介电膜的绝缘性基板或介电性基板。
18.如权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述基板为半导体基板。
19.如权利要求18所述的层叠体，其中，所述半导体基板为将载流子浓度调整至1×1018cm-3以下的Si基板、GaN基板、SiC基板、GaP基板、GaAs基板、ZnO基板、Ga2O3基板、GaSb基板、InP基板、InAs基板、InSb基板、ZnS基板、ZnTe基板或金刚石基板。
20.如权利要求18所述的层叠体，其中，所述半导体基板为在导电性基板、半导体基板或绝缘性基板上形成半导体膜而成的基板。
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