[发明专利]用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置

权利要求书

1.光电子装置，其包括：

衬底；

覆盖所述衬底的第一区域的成核抑制覆层；和

包括第一部分和第二部分的传导性覆层，所述传导性覆层的第一部分覆盖所述衬底的第二区域，并且所述传导性覆层的第二部分与所述成核抑制覆层部分地重叠，

其中所述传导性覆层的第二部分通过间隙与所述成核抑制覆层分隔开；和

其中所述成核抑制覆层被表征为具有不大于0.02的对于所述传导性覆层的材料的初始粘着概率。

2.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第二部分在所述成核抑制覆层的重叠部分之上延伸，并且通过所述间隙与所述成核抑制覆层的重叠部分分隔开。

3.权利要求2所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层的另一部分从所述传导性覆层暴露。

4.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层进一步包括与所述成核抑制覆层接触的第三部分，并且所述传导性覆层的第三部分的厚度不大于所述传导性覆层的第一部分的厚度的5％。

5.权利要求4所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第二部分在所述传导性覆层的第三部分之上延伸，并且与所述传导性覆层的第三部分分隔开。

6.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层进一步包括安置在所述传导性覆层的第一部分和所述传导性覆层的第二部分之间的第三部分，并且所述传导性覆层的第三部分与所述成核抑制覆层接触。

7.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层进一步包括与所述成核抑制覆层接触的第三部分，并且所述传导性覆层的第三部分在所述成核抑制覆层的表面上包括断连的簇。

8.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层包括镁。

9.权利要求1所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括有机分子，其每个包括核心部分和结合至所述核心部分的末端部分，并且所述末端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或亚苯基部分。

10.权利要求9所述的光电子装置，其中所述核心部分包括杂环部分。

11.权利要求1所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括有机分子，其每个包括核心部分和结合至所述核心部分的多个末端部分，所述多个末端部分的第一末端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或亚苯基部分，并且所述多个末端部分的每个其余的末端部分的分子量不大于所述第一末端部分的分子量的2倍。

12.权利要求1所述的光电子装置，进一步包括安置在所述传导性覆层的第一部分和所述衬底的第二区域之间的成核促进覆层。

13.权利要求12所述的光电子装置，其中所述成核促进覆层包括富勒烯。

14.权利要求1所述的光电子装置，其中所述衬底包括背板和安置在所述背板上的前板。

15.权利要求14所述的光电子装置，其中所述背板包括晶体管，并且所述前板包括电连接至所述晶体管的电极，和安置在所述电极上的至少一个有机层。

16.权利要求15所述的光电子装置，其中所述电极是第一电极，并且所述前板进一步包括安置在所述有机层上的第二电极。

17.光电子装置，其包括：

包括第一区域和第二区域的衬底；和

包括第一部分和第二部分的传导性覆层，所述传导性覆层的第一部分覆盖所述衬底的第二区域，并且所述传导性覆层的第二部分重叠部分所述衬底的第一区域，

其中所述传导性覆层的第二部分通过间隙与所述衬底的第一区域分隔开。