[发明专利]二次电池及其制造方法有效
申请号: | 201680075255.1 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN108432023B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 长谷川卓哉 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01M10/04 | 分类号: | H01M10/04;H01M4/02;H01M4/13;H01M4/133;H01M4/134;H01M4/38;H01M4/48;H01M10/052;H01M10/0585 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨海荣;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二次 电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种二次电池,包含:
正极,其中在正极集电器上设置有正极活性材料层;和
负极,其中在负极集电器上设置有负极活性材料层,其中
所述正极活性材料层和所述负极活性材料层以隔着插入其间的隔膜彼此面对的方式堆叠,所述负极活性材料层具有比所述正极活性材料层更大的面积,且在所述负极活性材料层的不与所述正极活性材料层面对的部位处的所述负极活性材料层的至少一部分中设置有薄壁部,
所述薄壁部位于从所述正极活性材料层的端部的紧下方的位置起2mm以内,并且所述薄壁部的最深部具有从所述负极活性材料层的表面起相对于所述负极活性材料层的厚度为10%以上且90%以下的深度。
2.根据权利要求1所述的二次电池,其中
所述薄壁部形成在所述正极的整个周围。
3.根据权利要求1所述的二次电池,其中
所述负极活性材料层包含硅或硅氧化物。
4.根据权利要求1所述的二次电池,其中
所述薄壁部具有U字形、楔形、三角形或矩形截面。
5.根据权利要求1所述的二次电池,其中
所述负极包含形成在集电器的两个表面上的负极活性材料层,并且所述薄壁部形成在所述两个表面上的所述负极活性材料层的每一个上。
6.根据权利要求1所述的二次电池,其中
所述二次电池是锂离子二次电池。
7.根据权利要求6所述的二次电池,其中
所述正极活性材料层中包含的活性材料是作为Li过渡金属氧化物的层状氧化物系材料、尖晶石系材料、橄榄石系材料、氟化橄榄石系材料、这些材料的混合物、或钒氧化物系材料。
8.根据权利要求7所述的二次电池,其中
所述负极活性材料层中包含的活性材料为硅、硅氧化物、碳材料、能够与锂形成合金的金属或合金、能够吸藏和释放锂离子的金属氧化物、或者混合有这些材料的材料。
9.一种制造二次电池的方法,包括:
制造至少一个电极堆叠体,所述电极堆叠体中正极和负极以活性材料层表面彼此面对的方式隔着插入其间的隔膜堆叠,所述负极具有比所述正极更大的面积、且在不与所述正极面对的部位处的负极活性材料层的至少一部分中包含薄壁部;
除注入口外用外包装体包裹所述电极堆叠体;以及
从所述注入口将电解质注入所述外包装体中,
所述薄壁部位于从所述正极活性材料层的端部的紧下方的位置起2mm以内,并且所述薄壁部的最深部具有从所述负极活性材料层的表面起相对于所述负极活性材料层的厚度为10%以上且90%以下的深度。
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