[发明专利]半导体处理设备的耐腐蚀性涂层

权利要求书

1.一种处理半导体处理腔室部件的方法，包含以下步骤：

在包含中性电解质与阻抗材料的阳极处理溶液中，阳极处理包含含铝主体的半导体处理腔室部件，以在所述含铝主体顶上形成耐腐蚀涂层。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述阳极处理溶液中的阻抗材料对于中性电解质的摩尔比为约0.5：1至约1：1。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述中性电解质是硼酸铵(H₁₂BN₃O₃)、己二酸铵(ammonium aditate)、酒石酸铵(ammonium titrate)、或磷酸铵(H₁₂N₃O₄P)。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述阻抗材料是钇、锆、铈、或聚四氟乙烯。

5.如权利要求1至4任一项所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述含铝主体顶上形成所述耐腐蚀涂层之后，在含氧气氛中退火所述半导体处理腔室部件。

6.如权利要求1至4任一项所述的方法，其中所述耐腐蚀涂层具有约20nm至约500nm的厚度。

7.一种处理半导体处理腔室部件的方法，包含以下步骤：

在中性电解质溶液中，阳极处理包含含铝主体的半导体处理腔室部件，以在所述含铝主体的表面上形成氧化铝层；和

将经阳极处理的半导体处理腔室部件浸入阻抗材料溶液中，以在所述氧化铝层顶上形成阻抗材料层。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包含以下步骤：当将所述半导体处理腔室部件浸入所述中性电解质溶液的同时，施加电功率至所述半导体处理腔室部件。

9.如权利要求7所述的方法，进一步包含以下步骤：当将所述半导体处理腔室部件浸入所述阻抗材料溶液的同时，施加电功率至所述半导体处理腔室部件。

10.如权利要求7至9任一项所述的方法，进一步包含以下步骤：在形成所述阻抗材料层之后，在含氧气氛中退火所述半导体处理腔室部件。

11.如权利要求7至9任一项所述的方法，其中所述中性电解质溶液是硼酸铵(H₁₂BN₃O₃)、己二酸铵(ammonium aditate)、酒石酸铵(ammonium titrate)、或磷酸铵(H₁₂N₃O₄P)。

12.如权利要求7至9任一项所述的方法，其中所述阻抗材料溶液是钇、锆、铈、或聚四氟乙烯。

13.一种半导体处理腔室部件，包含：

含铝主体；和

耐腐蚀涂层，所述耐腐蚀涂层覆盖所述半导体处理腔室部件的表面，其中所述耐腐蚀涂层包含氧化铝与阻抗材料。

14.如权利要求13所述的半导体处理腔室部件，其中所述耐腐蚀涂层具有约20nm至约500nm的厚度。

15.如权利要求13至14任一项所述的半导体处理腔室部件，其中：

所述耐腐蚀涂层包含在所述含铝主体顶上的氧化铝与阻抗材料的整体层；或者

所述耐腐蚀涂层包含在所述含铝主体顶上的氧化铝层与在所述氧化铝层顶上的阻抗材料层。