[发明专利]成膜方法有效
| 申请号： | 201680075857.7 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108474115B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 香取重尊;广木一亮;织田真也;人罗俊实 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | B05D1/02 | 分类号： | B05D1/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 周丹;朴圣洁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
1.一种具有钙钛矿结构的膜的成膜方法，其包括：
将含有非质子溶剂的原料溶液通过雾化变成雾或液滴；
通过载气将所述雾或液滴运送到基体上；并且
通过所述雾或液滴的热反应在所述基体上成膜，
其中，通过所述雾或液滴的热反应进行使得膜具有钙钛矿结构的结晶，并且
其中，所述非质子溶剂由化学式(1)表示或由化学式(2)表示，
在所述化学式(1)中，其中，
R1与R2相同或不同，
R1表示选自氢原子、卤素原子、任选地具有取代基的烃基和任选地具有取代基的杂环基中的一种，
R2表示选自氢原子、卤素原子、任选地具有取代基的烃基和任选地具有取代基的杂环基中的一种，并且
R1和R2键合形成环；
在所述化学式(2)中，其中，
R3、R4和R5任选地彼此相同，或者R3、R4和R5任选地彼此不同，
R3表示选自氢原子、卤素原子、任选地具有取代基的烃基和任选地具有取代基的杂环基中的一种，
R4表示选自氢原子、卤素原子、任选地具有取代基的烃基和任选地具有取代基的杂环基中的一种，
R5表示选自氢原子、卤素原子、任选地具有取代基的烃基和任选地具有取代基的杂环基中的一种，并且
选自R3、R4和R5中的两个键合形成环。
2.一种成膜方法，其包括：
将含有为脂肪族环状酯的非质子溶剂的原料溶液通过雾化变成雾或液滴；
通过载气将所述雾或液滴运送到基体上；并且
通过在150℃或更低的温度进行的所述雾或液滴的热反应，在所述基体上成膜一种具有钙钛矿结构的膜，其中，通过所述雾或液滴的热反应进行使得膜具有钙钛矿结构的结晶。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述原料溶液包含有机金属卤化物。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述原料溶液包含铵化合物。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述雾或液滴的所述热反应是在250℃或更低的温度进行。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述基体是玻璃基板。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述基体包含掺杂锡的氧化铟层或掺杂氟的氧化铟层。
8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述基体包含二氧化钛层。
9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述原料溶液包含胺衍生物。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述原料溶液包含金属络合物。
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