[发明专利]低α射线量硫酸钡颗粒以及其利用和其制造方法

说明书

根据本发明，提供低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其特征在于，对将重晶石原料矿石破碎而得到的破碎矿，作为步骤(1)，(a)进行淘洗处理；或(b)进行筛处理；或(c)进行淘洗处理和筛处理；根据上述破碎矿所具有的二氧化硅含量，将其二氧化硅含量减少至规定值从而得到第1产物，接着，作为步骤(2)，将进行上述处理而得到的第1产物用还原剂还原，使作为第2产物而得到的硫化钡在水中浸出，得到硫化钡水溶液，接着，作为步骤(3)，对上述硫化钡水溶液实施化学合成，得到低α射线量硫酸钡颗粒。

技术领域

本发明涉及低α射线量硫酸钡颗粒以及其制造方法。详细而言，本发明涉及二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm² 以下的低α射线量硫酸钡颗粒和其制造方法，进一步涉及这样的低α射线量硫酸钡颗粒的利用。

背景技术

随着近年的电子部件的小型化、高集成化，电子设备中的存储器芯片等误操作的半永久的损伤、所谓软错误(soft error)的问题变得显著。引起这样的软错误的原因之一是由电子部件中的无机材料中包含的U、Th、Ra等α射线源产生的α射线。例如，随着电子部件的小型化、高集成化，构成电子部件的底部填充剂层薄层化，由此即使是源自阻焊剂层的微弱α射线，也出现了对存储器芯片的电荷造成影响等问题。

硫酸钡在各种树脂组合物中作为填充剂而配合，例如被配合于在印刷配线板的抗蚀剂层中使用的抗蚀剂墨水组合物中，但为了防止上述软错误，近年来，进一步强烈要求硫酸钡的低α射线量化。

以往，作为工业用途中使用的硫酸钡，已知通过将重晶石原料矿石破碎、分级而得到的沉性硫酸钡；和，还原重晶石原料矿石，使所生成的硫化钡在水中浸出从而得到硫化钡水溶液，并对其实施与硫酸反应的化学合成的手段从而得到的沉淀性硫酸钡。

此外，例如，已知使硫化钡水溶液与硫酸铵反应从而得到粒度分布窄、分散性得到改善的硫酸钡参照(专利文献1)。但是，针对硫酸钡的低α射线量化，没有任何记载。

以硫化钡水溶液作为出发物质，对其实施化学合成的手段从而制造低α射线量的氢氧化钡、碳酸钡的方法是已知的(参照专利文献2)。

但是，近年来，针对上述氢氧化钡、碳酸钡，此外针对硫酸钡本身，也要求进一步减少α射线量，但充分低α射线量的硫酸钡迄今是未知的，因此，像这样α射线量充分低的硫酸钡的高效率制造方法也是未知的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-50261号公报

专利文献2：日本特开平11-92139号公报。

发明内容

发明要解决的课题

本发明人等为了解决上述低α射线量硫酸钡和其制造中的现有问题而进行深入研究的结果发现，即使是被认为α射线量少的基于化学合成的硫酸钡，其原料未充分降低α射线量时，也无法用于上述电子材料用途。

即，发现了：对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm² 以下的破碎矿实施淘洗处理和/或筛处理，去除大量包含二氧化硅的粗粒，根据上述破碎矿所具有的二氧化硅含量，将其二氧化硅含量减少至规定值，将以这样的方式得到的第1产物进行还原，制成作为第2产物的硫化钡，对其实施以往已知的化学合成，由此可以作为第3产物而得到二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm² 以下的低α射线量硫酸钡颗粒，从而完成了本发明。