[发明专利]SiC单晶生长炉的清理方法

权利要求书

1.一种SiC单晶生长炉的清理方法，其特征在于，使用气体对SiC单晶生长炉进行清理，所述SiC单晶生长炉具备至少表面由3C－SiC多晶体构成的炉内基材，所述3C－SiC多晶体的通过粉末XRD分析而得到的(111)面相对于其它晶面的强度比为90％以上且100％以下，

在所述清理方法中，使混合气体以非等离子体状态在所述SiC单晶生长炉内流通，来选择性地除去堆积于该SiC单晶生长炉内的SiC堆积物，所述混合气体是惰性气体与氟气的混合气体，

所述SiC堆积物是通过粉末XRD分析而得到的(111)面相对于其它晶面的强度比小于76％的3C－SiC多晶体，

所述混合气体由1体积％以上且20体积％以下的氟气和80体积％以上且99体积％以下的惰性气体组成，SiC单晶生长炉内的温度为280℃以上且400℃以下，

所述SiC堆积物的3C-SiC多晶体相对于所述炉内基材的3C-SiC多晶体的蚀刻速率比大于6.3。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶生长炉的清理方法，其特征在于，

所述惰性气体是选自氮气、氩气和氦气之中的气体。

3.根据权利要求2所述的SiC单晶生长炉的清理方法，其特征在于，

所述惰性气体是氮气和氩气中的任一种。

4.根据权利要求1所述的SiC单晶生长炉的清理方法，堆积于所述SiC单晶生长炉内的SiC堆积物是在使SiC单晶膜或SiC单晶锭生长时堆积的堆积物。

5.根据权利要求1所述的SiC单晶生长炉的清理方法，所述炉内基材至少表面由3C－SiC多晶体构成，所述3C－SiC多晶体的通过粉末XRD分析而得到的(111)面相对于其它晶面的强度比为95％以上。

6.根据权利要求1所述的SiC单晶生长炉的清理方法，所述SiC堆积物为3C－SiC多晶体，所述3C－SiC多晶体的通过粉末XRD分析而得到的(111)面相对于其它晶面的强度比为70％以上且小于76％。

7.根据权利要求1所述的SiC单晶生长炉的清理方法，所述混合气体含有5体积％以上且15体积％以下的氟气。

8.根据权利要求1所述的SiC单晶生长炉的清理方法，所述混合气体的流量以线速度计为0.1m/min以上且10m/min以下。

9.根据权利要求1所述的SiC单晶生长炉的清理方法，所述其它晶面包含(200)面、(220)面和(311)面之中的至少一方。